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BD899

更新时间： 2024-02-13 20:33:13
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POINN /
页数 文件大小 规格书
6页 119K
描述
NPN SILICON POWER DARLINGTONS

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BD899 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：70 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1 MHz
Base Number Matches：1

BD899 数据手册

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BD895, BD897, BD899, BD901  
NPN SILICON POWER DARLINGTONS  
Copyright © 1997, Power Innovations Limited, UK  
AUGUST 1993 - REVISED MARCH 1997  
●
Designed for Complementary Use with  
BD896, BD898, BD900 and BD902  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
70 W at 25°C Case Temperature  
8 A Continuous Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Minimum h of 750 at 3V, 3A  
FE  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
BD895  
BD897  
BD899  
BD901  
BD895  
BD897  
BD899  
BD901  
45  
60  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
80  
100  
45  
60  
VCEO  
V
80  
100  
Base-emitter voltage  
VEBO  
IC  
5
V
A
Continuous collector current  
Continuous base current  
8
0.3  
IB  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 1)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 2)  
Operating free-air temperature range  
Ptot  
Ptot  
TA  
70  
W
W
°C  
°C  
°C  
2
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +150  
Operating junction temperature range  
Tj  
Storage temperature range  
Tstg  
NOTES: 1. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.56 W/°C.  
2. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance  
with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BD89916 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD89916A MOTOROLA

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 		8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD899-6200 RENESAS

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