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BD798

更新时间： 2024-01-10 22:23:33

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	225K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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BD798 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	65 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

BD798 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

BD798

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= -60V(Min)

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type BD797

APPLICATIONS

·Designed for a wide variety of medium-power switching and

amplifier applications , such as series and shunt regulators

and driver and output stages of high-fidelity amplifiers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-60

UNIT

-60

-5

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

-8

I_B

-3

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Ttemperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

1.92

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BD79816	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD79816A	MOTOROLA	获取价格	7A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD798A	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD798AF	MOTOROLA	获取价格	7A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD798AJ	MOTOROLA	获取价格	7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD798C	MOTOROLA	获取价格	7A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD798D1	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
BD798L	MOTOROLA	获取价格	7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD798N	MOTOROLA	获取价格	7 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
BD798S	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti