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BCY79-IXLEADFREE PDF预览

BCY79-IXLEADFREE

更新时间： 2024-02-08 09:29:09
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 539K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,

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BCY79-IXLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.23
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-18JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
最大关闭时间（toff）：400 ns最大开启时间（吨）：100 ns
Base Number Matches：1

BCY79-IXLEADFREE 数据手册

 浏览型号BCY79-IXLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
BCY78, VII, VIII, IX, X  
BCY79, VII, VIII, IX, X  
www.centralsemi.com  
SILICON  
PNP TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCY78 and BCY79  
series types are silicon PNP epitaxial planar transistors,  
mounted in a hermetically sealed metal case, designed  
for low noise amplifier and switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-18 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted) SYMBOL  
BCY78  
32  
32  
BCY79  
45  
45  
UNITS  
V
V
V
mA  
mA  
mA  
mW  
W
°C  
°C/W  
°C/W  
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Peak Base Current  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
CM  
5.0  
100  
200  
200  
340  
1.0  
I
I
I
BM  
Power Dissipation  
P
P
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
C
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +200  
450  
J
stg  
JA  
JC  
Thermal Resistance  
150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=5.0V  
15  
10  
20  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
CB  
CB  
EB  
CBO  
CBO  
, T =150°C  
μA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
A
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
V
I =10μA (BCY78)  
32  
45  
32  
45  
5.0  
C
I =10μA (BCY79)  
C
I =2.0mA (BCY78)  
C
I =2.0mA (BCY79)  
C
I =1.0μA  
E
I =10mA, I =250ꢀA  
0.25  
0.80  
0.85  
1.20  
0.75  
C
B
B
B
B
I =100mA, I =2.5mA  
C
I =10mA, I =250ꢀA  
0.60  
0.70  
0.60  
V
V
V
C
I =100mA, I =2.5mA  
C
V
=5.0V, I =2.0mA  
CE  
C
BCY78-VII  
BCY79-VII  
MIN TYP MAX  
BCY78-VIII  
BCY79-VIII  
MIN MAX  
BCY78-IX  
BCY79-IX  
MIN MAX  
BCY78-X  
BCY79-X  
MIN MAX  
h
h
h
h
V
V
V
V
=5.0V, I =10μA  
-
140  
-
30  
180 310  
120 400  
-
40  
-
100  
380 630  
240 1000  
-
FE  
FE  
FE  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
=5.0V, I =2.0mA  
120  
80  
40  
-
-
-
220  
-
-
250 460  
160 630  
60  
C
=1.0V, I =10mA  
C
=1.0V, I =100mA  
45  
-
-
60  
-
C
R4 (4-June 2013)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCY79LEADFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,
BCY79PBFREE CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
BCY79PK DIODES

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