BCW66H

更新时间： 2024-02-10 23:51:38

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描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BCW66H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.01	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	6 pF	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
VCEsat-Max：	0.7 V	Base Number Matches：	1

BCW66H 数据手册

BCW66

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Emitter

V_(BR)CEO45

V_(BR)CES75

I_CEO=10mA

IC=10µA

Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

I_CES

I_EBO=10µA

Collector-Emitter

Cut-off Current

nA V_CES= 45V

µA V_CES= 45V , T_amb=150°C

Emitter-Base Cut-Off Current

I_EBO

nA V_EBO=4V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

0.3

0.7

I_C=100mA, I_B= 10mA

I_C= 500mA, I_B= 50mA*

Base-Emitter Saturation Voltage

V_BE(sat)

I_C=500mA, I_B=50mA*

Static

BCW66F h_FE

100

I_C= 10mA, V_CE

= 1V

I_C=100mA, V_CE= 1V*

I_C=500mA, V_CE= 2V*

Forward

Current

Transfer

160

250

BCW66G h_FE

110

160

I_C= 10mA, V_CE

= 1V

I_C=100mA, V_CE= 1V*

I_C=500mA, V_CE= 2V*

400

630

BCW66H h_FE

180

250

100

I_C= 10mA, V_CE

= 1V

I_C=100mA, V_CE= 1V*

I_C=500mA, V_CE= 2V*

350

Transition Frequency

f_T

100

MHz I_C=20mA, V_CE=10V

f = 100MHz

Output Capacitance

Input Capacitance

Noise Figure

C_obo

pF V_CB=10V, f =1MHz

pF V_EB=0.5V, f =1MHz

C_ibo

dB I_C= 0.2mA, V_CE= 5V

R_G=1kΩ

Switching times:

Turn-On Time

Turn-Off Time

t_on

t_off

100

400

I_C=150mA

_B1=- I_B2=15mA

R_L=150Ω

Spice parameter data is available upon request for this device

*Measured under pulsed conditions.

TBA

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