BCR2PM

更新时间： 2024-01-22 04:13:05

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三菱 - MITSUBISHI		触发装置三端双向交流开关局域网
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
LOW POWER USE INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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BCR2PM 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	2 A
断态重复峰值电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	TRIAC	Base Number Matches：	1

BCR2PM 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC

BCR2PM

LOW POWER USE

INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Limits

Symbol

Parameter

Test conditions

Unit

Min.

—

Typ.

—

Max.

0.5

1.6

2.0

IDRM

Repetitive peak off-state current

On-state voltage

Tj=125°C, VDRM applied

VTM

Ta=25°C, ITM=1.5A, Instantaneous measurement

—

VRGT !

VRGT #

IRGT !

IRGT #

VGD

✽2

Gate trigger voltage

Tj=25°C, VD=6V, RL=6Ω, RG=330Ω

—

✽2

Gate trigger current

—

0.1

—

Gate non-trigger voltage

Thermal resistance

Tj=125°C, VD=1/2VDRM

—

°C/W

Rth (j-a)

Junction to ambient, Natural convection

✽2. Measurement using the gate trigger characteristics measurement circuit.

GATE TRIGGER CHARACTERISTICS TEST CIRCUITS

6Ω

TEST PROCEDURE 2 TEST PROCEDURE 3

PERFORMANCE CURVES

MAXIMUM ON-STATE CHARACTERISTICS

RATED SURGE ON-STATE CURRENT

10²

Tj = 25°C

10¹

10⁰

10^–1

0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8

10⁰

3 4 5 7 10¹

3 4 5 7 10²

ON-STATE VOLTAGE (V)

CONDUCTION TIME

(CYCLES AT 60Hz)

Feb.1999

123 4

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