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BCR2PM-12RA-A8

更新时间： 2024-01-16 01:34:16
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可控硅
页数 文件大小 规格书
7页 120K
描述
Triac Low Power Use

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BCR2PM-12RA-A8 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.73外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：10 mA
最大直流栅极触发电压：2 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大漏电流：0.5 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：2 A断态重复峰值电压：600 V
子类别：TRIACs表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

BCR2PM-12RA-A8 数据手册

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BCR2PM-12  
Performance Curves  
Maximum On-State Characteristics  
Rated Surge On-State Current  
102  
7
10  
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Tj = 25°C  
5
3
2
101  
7
5
3
2
100  
7
5
3
2
10–1  
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8  
100  
2
3
5 7 101  
2
3
5 7 102  
On-State Voltage (V)  
Conduction Time (Cycles at 60Hz)  
Gate Trigger Current vs.  
Junction Temperature  
Gate Characteristics (II and III)  
103  
7
3
2
101  
7
5
Typical Example  
5
P
= 1W  
GM  
3
2
V
= 6V  
GM  
P
3
2
G(AV)  
= 0.1W  
I
, I  
RGT I RGT III  
102  
7
100  
7
5
V
GT  
I
= 1A  
GM  
5
3
2
10–1  
7
I
, I  
RGT I RGT III  
3
2
V
= 0.1V  
GD  
5
101  
–60 –40–20  
100 2 3 5 7101 2 3 5 7102 2 3 5 7103  
0
20 40 60 80 100 120 140  
Gate Current (mA)  
Junction Temperature (°C)  
Gate Trigger Voltage vs.  
Junction Temperature  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Characteristics (Junction to ambient)  
103  
103  
7
5
Typical Example  
7
5
3
2
102  
3
2
7
5
3
2
101  
7
102  
7
V
RGT I  
5
3
2
5
Natural Convection  
No Fins  
Print Board  
t = 1.6mm  
Solder Land : φ 2mm  
100  
7
V
3
2
RGT III  
5
3
2
(
)
101  
–60 –40–20  
10–1  
0
20 40 60 80 100 120 140  
101 2 3 5 7102 2 3 5 7103 2 3 5 7104 2 3 5 7105  
Junction Temperature (°C)  
Conduction Time (Cycles at 60Hz)  
Rev.1.00, Aug.20.2004, page 3 of 6  
1234567

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