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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.02 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.65 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BC860CS62Z | TI | PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BC860CT/R | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
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| BC860CTA | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC860C-TAPE-13 | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC860C-TAPE-7 | NXP | TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC860CTC | DIODES | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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