5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BC848BT116
BC848BT116 PDF预览

BC848BT116

更新时间： 2024-02-21 13:00:55
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 91K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346

阅读下载

中文翻译

获取价格

BC848BT116 数据手册

 浏览型号BC848BT116的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC848BT116的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC848BT116的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC848BT116的Datasheet PDF文件第5页 
BC848BW / BC848B / BC848C  
Transistors  
NPN General Purpose Transistor  
BC848BW / BC848B / BC848C  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) BVCEO minimum is 30V (IC=1mA)  
2) Complements the BC858B / BC858BW.  
BC848BW  
2.0 0.2  
1.3 0.1  
0.9 0.1  
0.7 0.1  
0.65 0.65  
0.2  
(1)  
(2)  
0~0.1  
(3)  
+0.1  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
0.3  
0.15 0.05  
−0  
All terminals have same dimensions  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
BC848B, BC848C  
2.9 0.2  
1.9 0.2  
0.95 0.95  
+0.2  
0.95  
−0.1  
0.45 0.1  
(2)  
(1)  
0~0.1  
0.2Min.  
(3)  
+0.1  
0.15  
+0.1  
−0.06  
0.4  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
−0.05  
All terminals have same dimensions  
ROHM : SST3  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
30  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
V
5
V
I
C
0.1  
A
0.2  
∗
Collector power dissipation  
P
C
W
0.35  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
∗ When mounted on a 7×5×0.6mm ceramic board.  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
BVCBO  
30  
30  
5
−
−
−
−
−
−
−
−
15  
V
V
V
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
BVCEO  
BVEBO  
C
E
=50µA  
−
−
V
CB=30V  
CB=30V, Ta=150°C  
Collector cutoff current  
I
CBO  
µA  
5
V
−
−
0.58  
200  
420  
−
−
−
−
−
−
200  
0.25  
0.6  
0.77  
450  
800  
−
I
I
C
/I  
B
=10mA/0.5mA  
=100mA/5mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
V
V
−
C/I  
B
V
BE(on)  
V
V
V
CE/I  
CE/I  
CE/I  
C=5V/10mA  
C=5V/2mA  
C=5V/2mA  
(BC848B/BW)  
(BC848C)  
hFE  
Transition frequency  
f
T
MHz  
pF  
V
V
V
CE=5V, I  
CB=10V, I  
EB=0.5V, I  
E
=−20mA, f=100MHz  
=0, f=1MHz  
=0, f=1MHz  
Collector output capacitance  
Collector output capacitance  
Cob  
Cib  
−
−
3
−
−
E
8
pF  
E
(SPEC-C22)  
1/5  
12345

中文翻译

下载PDF

与BC848BT116相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC848BT117 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC848BT216 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC848BTA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC848B-TAPE-13 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC848B-TAPE-7 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC848BTC DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC848B-TP MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
BC848B-TP-HF MCC

获取价格

 		暂无描述
BC848BTR CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
BC848BTR13 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

与BC848BT116相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证