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BC848B,215

更新时间: 2024-02-19 07:26:15
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其他 - ETC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 2003K
描述
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

BC848B,215 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-236
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95Factory Lead Time:4 weeks
风险等级:0.55最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

BC848B,215 数据手册

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BC848 series  
30 V, 100 mA NPN general-purpose transistors  
Rev. 07 — 17 November 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN general-purpose transistors in Surface Mounted Device (SMD) plastic packages.  
Table 1. Product overview  
Type number  
Package  
Nexperia  
SOT23  
PNP  
complement  
JEITA  
-
JEDEC  
BC848B  
BC848W  
TO-236AB  
-
BC858B  
BC858W  
SOT323  
SC-70  
1.2 Features  
„ General-purpose transistors  
„ SMD plastic packages  
1.3 Applications  
„ General-purpose switching and amplification  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
VCEO  
IC  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
30  
Unit  
collector-emitter voltage  
collector current  
open base  
-
-
-
-
V
100  
mA  
hFE  
DC current gain  
VCE = 5 V;  
IC = 2 mA  
BC848B  
BC848W  
200  
110  
290  
-
450  
800  

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