BC847ATT1

更新时间： 2024-01-25 08:59:20

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

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BC847ATT1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.06
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	110
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC847ATT1 数据手册

BC847ATT1, BC847BTT1,

BC847CTT1

General Purpose

Transistors

NPN Silicon

http://onsemi.com

These transistors are designed for general purpose amplifier

applications. They are housed in the SC−75/SOT−416 package which

is designed for low power surface mount applications.

COLLECTOR

Features

BASE

• Pb−Free Packages are Available*

EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)

Rating

Collector−Emitter Voltage

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Symbol

Max

Unit

CEO

CBO

EBO

CASE 463

SC−75/SOT−41

6.0

100

STYLE 1

Collector Current − Continuous

mAdc

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

MARKING DIAGRAM

THERMAL CHARACTERISTICS

xxM

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation,

FR−4 Board (Note 1)

200

xx = Device Code

M = Date Code

T = 25°C

Derated above 25°C

1.6

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

600

Junction−to−Ambient (Note 1)

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 5 of this data sheet.

Total Device Dissipation,

FR−4 Board (Note 2)

300

T = 25°C

Derated above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

400

Junction−to−Ambient (Note 2)

Junction and Storage

Temperature Range

T , T

−55 to

+150

°C

stg

1. FR−4 @ min pad.

2. FR−4 @ 1.0 × 1.0 in pad.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

June, 2004 − Rev. 1

BC847ATT1/D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847ATTIN/LEAD	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC847AT-TP	MCC	获取价格	NPN Surface Mount Small Signal Transistor 150mW
BC847AT-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC847ATTR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
BC847-AU_0_00001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC847-AU_0_10001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC847-AU_1_00001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC847-AU_1_10001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC847-AU_A0_00001	PANJIT	获取价格	NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
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