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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC846AW-7-F
BC846AW-7-F PDF预览

BC846AW-7-F

更新时间： 2024-02-26 10:46:44
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC846AW-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.15最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：110JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

BC846AW-7-F 数据手册

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DATA SHEET  
BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W SERIES  
NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS  
Unit: inch (mm)  
SOT-323  
150 mWatts  
CURRENT  
30/45/65 Volts  
VOLTAGE  
FEATURES  
• General purpose amplifier applications  
• NPN epitaxial silicon, planar design  
.087(2.2)  
.070(1.8)  
• Collector current IC = 100mA  
• Both normal and Pb free product are available :  
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb  
Pb free: 98.5% Sn above  
.054(1.35)  
.045(1.15)  
.006(.15)  
.002(.05)  
.056(1.40)  
.047(1.20)  
MECHANICALDATA  
Case: SOT-323, Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Approx. Weight: 0.0052 gram  
.004(.10)MAX.  
D evice M arking:  
.016(.40)  
.078(.20)  
BC 846AW =46A BC 847AW =47A BC 848AW =48A  
BC 846BW =46B BC 847BW =47B BC 848BW =48B BC 849BW =49B BC 850BW =50B  
BC 847C W =47C BC 848C W =48C BC 849C W =49C BC 850C W =50C  
ABSOLUTE RATINGS  
PARAMETER  
BC846  
Symbol  
Value  
Units  
V
65  
45  
30  
Collector - Emitter Voltage  
Collector - Base Voltage  
BC847,BC850  
BC848,BC849  
V
V
V
CEO  
BC846  
BC847,BC850  
BC848,BC849  
80  
50  
30  
CBO  
EBO  
V
BC846  
BC847,BC850  
BC848,BC849  
6.0  
6.0  
5.0  
Emitter - Base Voltage  
V
Collector Current - Continuous  
I
C
100  
mA  
THERMALCHARACTERISTICS  
PARAM ETER  
Sym bol  
Value  
150  
Units  
m W  
M axPowerD issipation (Note 1)  
PTO T  
Therm alResistance ,Junction to Am bient  
Junction Tem perature  
RθJA  
833  
O C /W  
O C  
TJ  
-55 to 150  
-55 to 150  
Storage Tem perature  
TISTG  
O C  
Note 1: Transistor mounted on FR-5 board 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
STAD-JUL.06.2004  
PAGE . 1  
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BC846AW-AU PANJIT

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