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BC817-25 PDF预览

BC817-25

更新时间： 2024-01-09 03:25:15
品牌 Logo 应用领域
金誉半导体 - HTSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 279K
描述
TRANSISTOR (NPN)

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BC817-25 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.55
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：170 MHz
Base Number Matches：1

BC817-25 数据手册

 浏览型号BC817-25的Datasheet PDF文件第2页 
BC817  
TRANSISTOR (NPN)  
BC817-16  
BC817-25  
BC817-40  
SOT-23  
FEATURES  
1. BASE  
z
z
z
z
z
For general AF applications  
High collector current  
High current gain  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
Low collector-emitter saturation voltage  
Complementary types: BC807 (PNP)  
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
50  
VCEO  
VEBO  
IC  
45  
V
5
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
0.5  
A
PC  
0.3  
W
℃
℃
Tj  
150  
-55-150  
Tstg  
Storage Temperature  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
Test  
conditions  
MIN  
50  
45  
5
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
IC= 10μA, IE=0  
VCEO  
IC= 10mA, IB=0  
V
VEBO  
IE= 1μA, IC=0  
V
μA  
ICBO  
VCB= 45 V , IE=0  
VEB= 4V, IC=0  
0.1  
0.1  
600  
μA  
Emitter cut-off current  
IEBO  
hFE(1)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VBE  
VCE= 1V, IC= 100mA  
VCE= 1V, IC= 500mA  
IC= 500mA, IB= 50mA  
IC= 500mA, IB= 50mA  
VCE= 1 V, IC= 500mA  
VCB=10V ,f=1MHz  
100  
40  
DC current gain  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
0.7  
1.2  
1.2  
V
V
V
10  
Collecter capactiance  
Cob  
pF  
V
CE= 5 V,  
IC= 10mA  
Transition frequency  
fT  
100  
MHz  
f=100MHz  
CLASSIFICATION OF hFE  
(1)  
Rank  
Range  
Marking  
BC817-16  
BC817-25  
160-400  
6B  
BC817-40  
100-250  
6A  
250-600  
6C  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  
12

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与BC817-25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC817-25,215 NXP

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 		BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin
BC817-25,235 ETC

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 		TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
BC817-25/E8 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
BC817-25/E9 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
BC817-25/SNR ETC

获取价格

 		TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
BC817-25/SNVL ETC

获取价格

 		TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
BC817-25/T1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR SMD KLEINSIGN. SOT 23 323 143
BC817-25-13 DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
BC817-25-13-F DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
BC817-25-3L BL Galaxy Electrical

获取价格

 		45V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

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