BC556

更新时间： 2024-01-13 18:37:00

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RECTRON		晶体晶体管
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3页	89K
描述
PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

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BC556 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

BC556 数据手册

BC556,A,B,C

BC557,A,B,C

BC558,A,B,C

PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors

TO-92 SMD Package

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ^oC unless specified otherwise)

SYMBOL

V_CEO

V_CES

V_CBO

V_EBO

I_C

BC556

BC557

BC558

UNITS

DESCRIPTION

Collector Emitter Voltage

Collector Emmitter Voltage

Collector Base Voltage

100

200

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Peak

I_CM

I_EM

I_BM

Emitter Current - Peak

Base Current - Peak

Total power dissipation up to

P_tot

500

T_amb= 25 ^oC

^oC

Tstg

-55 to +150

150

Storge Temperature

Junction Temperature

^oC

Thermal Resistance

From junction to ambient

^oC/W

R_th(j-a)

250

www.rectron.com

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