BC446B

更新时间： 2024-01-06 04:11:33

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4页	62K
描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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BC446B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC446B 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

BC 446, A, B

BC 448, A, B

BC 450, A, B

TO-92

Plastic Package

General Purpose High Voltage Transistors.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

UNITS

V_CEO

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

100

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector Current Continuous

Total Device Dissipation@ Ta=25ºC

Derate Above 25ºC

300

P_D

625

mW/ ºC

1.5

P_D

Total Device Dissipation@ Tc=25ºC

Derate Above 25ºC

mW/ ºC

ºC

T_j, T_stg

-55 to +150

Operating And Storage Junction

Temperature Range

THERMAL RESISTANCE

R_th(j-a)

R_th(j-c)

200

Junction to ambient

Junction to case

ºC/W

83.3

Continental Device India Limited

Data Sheet

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与BC446B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC447	ONSEMI	High Voltage Transistors	获取价格
BC447	MICRO-ELECTRONICS	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,	获取价格
BC447/D	ETC	High Voltage Transistors	获取价格
BC447A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-92	获取价格
BC447B	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 300MA I(C) \| TO-92	获取价格
BC447G	ONSEMI	High Voltage Transistors, TO-92 (TO-226) 1 WATT, 5000-BLKBX	获取价格