BC307C

更新时间： 2024-01-13 04:20:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	44K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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BC307C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.69	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	380
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	130 MHz
Base Number Matches：	1

BC307C 数据手册

BC307/308/309

Switching and Amplifier Applications

•

Low Noise: BC309

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

: BC307

: BC308/309

Collector-Emitter Voltage

CES

-50

-30

CEO

: BC307

: BC308/309

-45

-25

Emitter-Base Voltage

-5

-100

EBO

Collector Current (DC)

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

500

150

-55 ~ 150

°C

STG

Rev. A2, August 2002

12 3 4 5

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