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BB639CE7904HTSA1

更新时间： 2024-10-01 14:47:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 902K
描述
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency, 39pF C(T), 35V, Silicon, SOD-323, 2 PIN

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BB639CE7904HTSA1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：8.42
Is Samacsys：N最小击穿电压：35 V
配置：SINGLE二极管电容容差：7.01%
最小二极管电容比：9.5标称二极管电容：39 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：VERY HIGH FREQUENCYJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BB639CE7904HTSA1 数据手册

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BB639C/BB659C...  
Silicon Variable Capacitance Diode  
• For tuning of extended frequency band  
in VHF TV / VTR tuners  
• High capacitance ratio  
• Low series inductance  
• Low series resistance  
• Excellent uniformity and matching due to  
"in-line" matching assembly procedure  
• Pb-free (RoHS compliant) package  
BB639C  
BB659C/-02V  
1
2
Type  
BB639C  
BB659C  
Package  
SOD323  
SCD80  
SC79  
Configuration  
single  
single  
L (nH) Marking  
S
1.8  
0.6  
0.6  
yellow S  
HH  
H
BB659C-02V  
single  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
30  
35  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
( R ≥ 5kΩ )  
V
V
R
RM  
20  
mA  
°C  
Forward current  
Operating temperature range  
Storage temperature  
I
F
T
T
-55 ... 150  
-55 ... 150  
op  
stg  
2011-06-15  
1
12345678

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BB639CE7904HTSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BB639CE7908HTSA1 INFINEON

完全替代

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BB153 NXP

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