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BAT17212

更新时间: 2024-01-15 06:56:28
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恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 66K
描述
SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE

BAT17212 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.09
Is Samacsys:N最小击穿电压:4 V
配置:SINGLE最大二极管电容:1 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
最大正向电压 (VF):0.6 V频带:ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码:R-PDSO-G3最大噪声指数:8 dB
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:100 °C最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.25 µA
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

BAT17212 数据手册

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