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BAT1000-13 PDF预览

BAT1000-13

更新时间： 2024-09-30 19:50:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 80K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, SOT-23, 3 PIN

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BAT1000-13 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.27
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BAT1000-13 数据手册

 浏览型号BAT1000-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAT1000-13的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODEL: BAT1000  
BAT1000  
1A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
Very Low Forward Voltage Drop  
SOT-23  
High Conductance  
A
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
For Use in DC-DC Converter, PCMCIA,  
and Mobile Telecommunications Applications  
·
Available in Lead Free/RoHS Compliant Version  
(Note 3)  
B
B
C
C
TOP VIEW  
D
Mechanical Data  
·
D
G
E
E
Case: SOT-23  
H
G
H
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
M
J
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
L
J
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
K
Also Available in Lead Free Plating (Matte Tin Finish  
annealed over Alloy 42 leadframe). Please see Ordering  
Information, Note 5, on Page 3  
L
M
a
·
·
·
·
Polarity: See Diagram  
All Dimensions in mm  
Marking: K79 and Date Code, See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
40  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
28  
V
A
Average Rectified Current (Note 1)  
1.0  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
A
5.5  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
500  
200  
mW  
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient Air  
(Note 1)  
RqJA  
°C/W  
Tj  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
TSTG  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
IR = 300uA  
V(BR)R  
40  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
¾
¾
V
IF = 50mA  
IF = 100mA  
IF = 250mA  
IF = 500mA  
IF = 750mA  
IF = 1000mA  
IF = 1500mA  
270  
290  
340  
400  
450  
500  
600  
225  
235  
290  
340  
390  
420  
475  
mV  
Forward Voltage (Note 2)  
¾
VF  
VR = 30V  
IR  
Reverse Current (Note 2)  
Total Capacitance  
¾
¾
100  
mA  
VR = 0V, f = 1.0MHz  
VR = 25V, f = 1.0MHz  
¾
¾
175  
25  
¾
¾
pF  
pF  
CT  
Notes:  
1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
3. No purposefully added lead.  
DS30245 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
BAT1000  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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