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B190

更新时间： 2024-02-21 04:20:19
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美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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B190 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.25
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-C2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：90 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：C BEND
端子位置：DUALBase Number Matches：1

B190 数据手册

 浏览型号B190的Datasheet PDF文件第2页 
B170/B - B1100/B  
1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
·
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Power Loss, High Efficiency  
Surge Overload Rating to 30A Peak  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Application  
High Temperature Soldering:  
260°C/10 Second at Terminal  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
SMA  
Min  
SMB  
Min  
B
Dim  
A
Max  
2.92  
4.60  
1.63  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Max  
3.94  
4.57  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
2.29  
4.00  
1.27  
0.15  
4.80  
0.10  
0.76  
2.01  
3.30  
4.06  
1.96  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
A
J
C
D
B
C
·
·
D
E
G
H
Mechanical Data  
G
H
J
E
All Dimensions in mm  
·
·
Case: SMA / SMB, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated Terminal -  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
SMA Weight: 0.064 grams (approx.)  
SMB Weight: 0.093 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
No Suffix Designates SMA Package  
“B” Suffix Designates SMB Package  
·
·
·
·
·
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
B170/B  
70  
B180/B  
80  
B190/B  
90  
B1100/B  
100  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
49  
56  
63  
70  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 125°C  
1.0  
30  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage @ IF = 1.0A  
@ TA  
@ TA = 100°C  
@ TA 25°C  
@ TA = 100°C  
= 25°C  
0.79  
0.69  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
=
0.5  
5.0  
mA  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
80  
25  
pF  
K/W  
°C  
RqJT  
Typical Thermal Resistance Junction to Terminal (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS30018 Rev. B-2  
1 of 2  
B170/B - B1100/B  
12

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