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B06T

更新时间： 2024-02-25 12:45:17
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
页数 文件大小 规格书
19页 1443K
描述
RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

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B06T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8504.50.80.00
风险等级：5.13型芯材料：AIR
直流电阻：0.0045 Ω标称电感 (L)：0.0175 µH
电感器应用：RF INDUCTOR电感器类型：GENERAL PURPOSE INDUCTOR
JESD-609代码：e1功能数量：1
端子数量：2最高工作温度：140 °C
最低工作温度：-40 °C最小质量因数（标称电感时）：100
自谐振频率：2200 MHz形状/尺寸说明：RECTANGULAR PACKAGE
屏蔽：NO特殊特征：Q MEASURED AT 150MHZ
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子位置：DUAL ENDED端子形状：WIRE
容差：10%Base Number Matches：1

B06T 数据手册

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Document Number: MRF6VP2600H  
Rev. 5.1, 7/2010  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
RF Power Field Effect Transistor  
N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET  
Designed primarily for wideband applications with frequencies up to 500 MHz.  
Device is unmatched and is suitable for use in broadcast applications.  
MRF6VP2600HR6  
•
Typical DVB--T OFDM Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA,  
Pout = 125 Watts Avg., f = 225 MHz, Channel Bandwidth = 7.61 MHz,  
Input Signal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
Power Gain — 25 dB  
2--500 MHz, 600 W, 50 V  
LATERAL N--CHANNEL  
BROADBAND  
Drain Efficiency — 28.5%  
RF POWER MOSFET  
ACPR @ 4 MHz Offset — --61 dBc @ 4 kHz Bandwidth  
•
•
Typical Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA,  
Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Pulse Width = 100 μsec, Duty  
Cycle = 20%  
Power Gain — 25.3 dB  
Drain Efficiency — 59%  
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts Peak  
Power, Pulse Width = 100 μsec, Duty Cycle = 20%  
Features  
•
•
•
•
•
•
Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters  
CASE 375D--05, STYLE 1  
NI--1230  
CW Operation Capability with Adequate Cooling  
Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation  
Integrated ESD Protection  
Designed for Push--Pull Operation  
Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C  
Operation  
PART IS PUSH--PULL  
•
•
RoHS Compliant  
In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.  
RF /V  
RF /V  
outA DSA  
3
4
1
2
inA GSA  
RF /V  
inB GSB  
RF /V  
outB DSB  
(Top View)  
Figure 1. Pin Connections  
Table 1. Maximum Ratings  
Rating  
Symbol  
Value  
--0.5, +110  
--6.0, +10  
-- 65 to +150  
150  
Unit  
Drain--Source Voltage  
V
Vdc  
Vdc  
°C  
DSS  
Gate--Source Voltage  
V
GS  
Storage Temperature Range  
Case Operating Temperature  
Operating Junction Temperature  
T
stg  
T
C
°C  
(1,2)  
T
J
225  
°C  
Table 2. Thermal Characteristics  
(2,3)  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θ
°C/W  
JC  
Case Temperature 99°C, 125 W CW, 225 MHz, 50 Vdc, I = 2600 mA  
0.20  
0.14  
0.16  
DQ  
Case Temperature 64°C, 610 W CW, 352.2 MHz, 50 Vdc, I  
= 150 mA  
DQ  
Case Temperature 81°C, 610 W CW, 88--108 MHz, 50 Vdc, I  
= 150 mA  
DQ  
1. Continuous use at maximum temperature will affect MTTF.  
2. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF  
calculators by product.  
3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.  
Select Documentation/Application Notes -- AN1955.  
© Freescale Semiconductor, Inc., 2008--2010. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
B06T-2 COILCRAFT

获取价格

 		General Purpose Inductor, 0.0175uH, 2%, 1 Element, Air-Core, SMD
B06T-5 COILCRAFT

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 		General Purpose Inductor, 0.0175uH, 5%, 1 Element, Air-Core, SMD
B06TFLB COILCRAFT

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 		General Purpose Inductor, 0.0175uH, 1%, 1 Element, Air-Core, SMD, 2718, CHIP, 2718, ROHS C
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 		General Purpose Inductor, 0.0175uH, 1%, 1 Element, Air-Core, SMD, 2718, CHIP, 2718, ROHS C
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 		General Purpose Inductor, 0.0175uH, 2%, 1 Element, Air-Core, SMD
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 		General Purpose Inductor, 0.0175uH, 2%, 1 Element, Air-Core, SMD
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 		General Purpose Inductor, 0.0175uH, 2%, 1 Element, Air-Core, SMD

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