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AU5790D14,512

更新时间： 2024-02-22 23:56:40
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 电信光电二极管电信集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 120K
描述
IC DATACOM, INTERFACE CIRCUIT, PDSO14, PLASTIC, SO-14, Network Interface

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AU5790D14,512 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP14,.25
针数：14Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.84
数据速率：83 MbpsJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e4长度：8.65 mm
功能数量：1端子数量：14
收发器数量：1最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：13 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：Network Interfaces
最大压摆率：0.09 mA标称供电电压：13 V
表面贴装：YES电信集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

AU5790D14,512 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product data  
Single wire CAN transceiver  
AU5790  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
According to the IEC 134 Absolute Maximum System: operation is not guaranteed under these conditions; all voltages are referenced to  
pin 8 (GND); positive currents flow into the IC, unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
Supply voltage  
Steady state  
–0.3  
+27  
V
V
V
BAT  
Short-term supply voltage  
Load dump; ISO7637/1 test pulse 5  
(SAE J1113, test pulse 5), T < 1s  
+40  
V
BATld  
Transient supply voltage  
ISO 7637/1 test pulse 2 (SAE J1113,  
test pulse 2), with series diode and  
bypass cap of 100 nF between BAT and  
GND pins, Note 2.  
+100  
V
V
BATtr2  
Transient supply voltage  
ISO 7637/1 pulses 3a and 3b  
(SAE J1113 test pulse 3a and 3b),  
Note 2.  
–150  
+100  
V
V
V
BATtr3  
CANH voltage  
V
> 2 V  
< 2 V  
–10  
–16  
+18  
+18  
V
V
V
V
V
BAT  
BAT  
CANH_1  
CANH voltage  
V
V
CANH_0  
CANHtr1  
CANHtr2  
CANHtr3  
Transient bus voltage  
Transient bus voltage  
Transient bus voltage  
ISO 7637/1 test pulse 1, Notes 1 and 2  
ISO 7637/1 test pulse 2, Notes 1 and 2  
–100  
V
V
V
+100  
+100  
ISO 7637/1 test pulses 3a, 3b,  
Notes 1 and 2  
–150  
–10  
V
Pin RTH voltage  
Pin RTH voltage  
V
BAT  
> 2 V, voltage applied to pin RTH  
+18  
+18  
V
V
RTH1  
RTH0  
via a 2 kΩ series resistor  
V
V
BAT  
< 2 V, voltage applied to pin RTH  
–16  
via a 2 kΩ series resistor  
DC voltage on pins TxD, EN, RxD, NSTB  
ESD capability of pin BAT  
–0.3  
–8  
+7  
+8  
V
V
I
Direct contact discharge,  
R=1.5 kΩ, C=100 pF  
kV  
ESD  
BAHB  
ESD  
ESD capability of pin CANH  
ESD capability of pin RTH  
Direct contact discharge,  
R=1.5 kΩ, C=100 pF  
–8  
–8  
–2  
2
+8  
+8  
+2  
kV  
kV  
kV  
kΩ  
CHHB  
ESD  
ESD  
Direct contact discharge,  
R=1.5 kΩ + 3 kΩ, C=100 pF  
RTHB  
LGHB  
ESD capability of pins TxD, NSTB, EN, RxD, and  
RTH  
Direct contact discharge,  
R=1.5 kΩ , C=100 pF  
R
Bus load resistance R being connected to pin  
Tmin  
T
RTH  
Operating ambient temperature  
–40  
–40  
–40  
+125  
+150  
+150  
T
T
T
°C  
°C  
amb  
stg  
vj  
Storage temperature  
Junction temperature  
°C  
NOTES:  
1. Test pulses are coupled to CANH through a series capacitance of 1 nF.  
2. Rise time for test pulse 1: t < 1 µs; pulse 2: t < 100 ns; pulses 3a/3b: t < 5 ns.  
r
r
r
6
2001 May 18  
1...3456789...20

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