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ATP301

更新时间： 2024-01-11 22:03:03

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		开关通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	273K
描述
General-Purpose Switching Device Applications

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ATP301 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	HALOGEN AND LEAD FREE, ATPAK-3/2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	24 weeks	风险等级：	1.5
雪崩能效等级（Eas）：	54 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28 A	最大漏极电流 (ID)：	28 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	112 A	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ATP301 数据手册

ATP301

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Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

max

Forward Transfer Admittance

Static Drain-to-Source On-State Resistance

Input Capacitance

| yfs |

(on)

=-- 10V, I =--14A

mΩ

=-- 14A, V =-- 10V

4000

270

150

Ciss

=--20V, f=1MHz

Output Capacitance

Coss

Crss

Reverse Transfer Capacitance

Turn-ON Delay Time

(on)

See speciﬁed Test Circuit.

Rise Time

130

330

190

Turn-OFF Delay Time

Fall Time

(off)

Total Gate Charge

=--60V, V =--10V, I =--28A

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain “Miller” Charge

Diode Forward Voltage

Qgs

Qgd

=--60V, V =--10V, I =--28A

I =--28A, V =0V

S GS

--1.0

--1.5

Package Dimensions

unit : mm (typ)

7057-001

1.5

6.5

4.6

2.6

0.4

0.55

0.8

0.6

1 : Gate

2 : Drain

0.4

2.3

3 : Source

4 : Drain

SANYO : ATPAK

Switching Time Test Circuit

Avalanche Resistance Test Circuit

V = --60V

--10V

≥50Ω

= --14A

R =4.3Ω

OUT

PW=10μs

D.C.≤1%

ATP301

--10V

50Ω

ATP301

P. G

50Ω

No. A1457-2/4

123 4

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