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ATC100B0R5BT500XT

更新时间： 2024-02-19 22:47:24
品牌 Logo 应用领域
飞思卡尔 - FREESCALE 电容器
页数 文件大小 规格书
17页 852K
描述
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

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ATC100B0R5BT500XT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CHIP
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8532.24.00.20风险等级：5.56
其他特性：MIL-PRF-55681, MIL-PRF-123电容：5e-7 µF
电容器类型：CERAMIC CAPACITOR介电材料：CERAMIC
高度：2.59 mmJESD-609代码：e3
长度：2.79 mm安装特点：SURFACE MOUNT
多层：Yes负容差：20%
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装形式：SMT
包装方法：TR正容差：20%
额定（直流）电压（URdc）：500 V参考标准：MIL-PRF-55681
尺寸代码：1111表面贴装：YES
温度特性代码：P90温度系数：90+/-20ppm/Cel ppm/ °C
端子面层：Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形状：WRAPAROUND
宽度：2.79 mmBase Number Matches：1

ATC100B0R5BT500XT 数据手册

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TYPICAL CHARACTERISTICS  
-- 20  
-- 25  
-- 30  
-- 35  
-- 20  
-- 25  
-- 30  
-- 35  
I
= 200 mA  
DQ2  
I
= 100 mA  
150 mA  
DQ1  
655 mA  
550 mA  
330 mA  
-- 40  
-- 45  
-- 5 0  
-- 55  
-- 6 0  
-- 40  
440 mA  
300 mA  
-- 45  
200 mA  
= 28 Vdc, I = 440 mA  
DQ2  
250 mA  
-- 5 0  
V
= 28 Vdc, I  
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz  
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing  
= 200 mA  
V
DD  
DQ1  
DD  
-- 55 f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz  
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing  
-- 6 0  
1
10  
100  
1
10  
100  
P
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP  
P , OUTPUT POWER (WATTS) PEP  
out  
out  
Figure 9. Third Order Intermodulation Distortion  
versus Output Power @ IDQ1 = 200 mA  
Figure 10. Third Order Intermodulation Distortion  
versus Output Power @ IDQ2 = 440 mA  
-- 15  
-- 18  
-- 10  
V
I
= 28 Vdc, P = 40 W (PEP), I  
= 440 mA, Two--Tone Measurements  
= 200 mA,  
V
= 28 Vdc, I  
= 200 mA, I  
= 440 mA  
DD  
out  
DQ1  
DD  
DQ1  
DQ2  
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz  
Two--Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing  
DQ2  
-- 20  
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1960 MHz  
-- 21  
-- 24  
-- 27  
-- 30  
-- 30  
-- 40  
-- 50  
-- 6 0  
3rd Order  
5th Order  
IM3--L  
IM3--U  
-- 33  
-- 3 6  
7th Order  
1
10  
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP  
100  
1
10  
100  
TWO--TONE SPACING (MHz)  
P
out  
Figure 12. Intermodulation Distortion Products  
versus Tone Spacing  
Figure 11. Intermodulation Distortion  
Products versus Output Power  
45  
40  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
-- 1 5  
PAE  
Ideal  
V
= 28 Vdc, I  
= 200 mA, I  
= 440 mA  
DD  
DQ1  
DQ2  
P6dB = 47.7 dBm (59 W)  
-- 2 0  
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz, 2--Carrier  
W--CDMA, 10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz  
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%  
Probability (CCDF)  
IM3  
-- 2 5  
-- 3 0  
-- 3 5  
-- 4 0  
-- 4 5  
35  
30  
25  
20  
ACPR  
P3dB = 47.4 dBm (55 W)  
G
ps  
P1dB = 46.9 dBm (49 W)  
15  
10  
Actual  
V
= 28 Vdc  
DD  
-- 5 0  
-- 5 5  
-- 6 0  
I
= 200 mA, I  
= 440 mA  
DQ1  
DQ2  
Pulsed CW, 12 μsec(on), 1% Duty Cycle  
5
0
f = 1965 MHz  
0.5  
1
10  
60  
18 19  
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29  
P
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.  
P , INPUT POWER (dBm)  
in  
out  
Figure 13. Pulsed CW Output Power versus  
Input Power  
Figure 14. 2--Carrier W--CDMA ACPR, IM3, Power  
Gain and Drain Efficiency versus  
Output Power  
MW6IC1940GNBR1  
RF Device Data  
Freescale Semiconductor  
7
1...45678910...17

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