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Datasheet > AT28C010-12EM/883
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AT28C010-12EM/883

更新时间： 2024-01-06 03:24:19
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 435K
描述
IC EEPROM 1MBIT 120NS 32CLCC

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AT28C010-12EM/883 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFJ
包装说明：QCCN, LCC32,.45X.55针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.3
最长访问时间：120 ns其他特性：AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS
命令用户界面：NO数据轮询：YES
数据保留时间-最小值：10耐久性：10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-CQCC-N32JESD-609代码：e0
长度：13.97 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装等效代码：LCC32,.45X.55
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
页面大小：128 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883座面最大高度：2.54 mm
最大待机电流：0.0003 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES宽度：11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 ms

AT28C010-12EM/883 数据手册

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Once set, SDP will remain active unless the disable command sequence is issued. Power transi-  
tions do not disable SDP and SDP will protect the AT28C010 during power-up and power-down  
conditions. All command sequences must conform to the page write timing specifications. The  
data in the enable and disable command sequences is not written to the device and the memory  
addresses used in the sequence may be written with data in either a byte or page write opera-  
tion.  
After setting SDP, any attempt to write to the device without the 3-byte command sequence will  
start the internal write timers. No data will be written to the device; however, for the duration of  
tWC, read operations will effectively be polling operations.  
DEVICE IDENTIFICATION: An extra 128-bytes of EEPROM memory are available to the user  
for device identification. By raising A9 to 12V 0.5V and using address locations 1FF80H to  
1FFFFH the bytes may be written to or read from in the same manner as the regular memory  
array.  
OPTIONAL CHIP ERASE MODE: The entire device can be erased using a 6-byte software  
code. Please see Software Chip Erase application note for details.  
DC and AC Operating Range  
AT28C010-12  
-55°C - 125°C  
5V 10%  
AT28C010-15  
-55°C - 125°C  
5V 10%  
AT28C010-20  
-55°C - 125°C  
5V 10%  
AT28C010-25  
-55°C - 125°C  
5V 10%  
Operating  
Temperature (Case)  
Mil.  
VCC Power Supply  
Operating Modes  
Mode  
CE  
VIL  
VIL  
VIH  
X
OE  
VIL  
VIH  
X (1)  
X
WE  
VIH  
VIL  
X
I/O  
Read  
DOUT  
DIN  
Write (2)  
Standby/Write Inhibit  
Write Inhibit  
Write Inhibit  
Output Disable  
High Z  
VIH  
X
X
VIL  
VIH  
X
X
High Z  
Notes: 1. X can be VIL or VIH.  
2. Refer to AC Programming Waveforms  
DC Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Condition  
Min  
Max  
10  
Units  
A  
ILI  
Input Load Current  
Output Leakage Current  
VIN = 0V to VCC + 1V  
VI/O = 0V to VCC  
ILO  
10  
A  
ISB1  
ISB2  
ICC  
VCC Standby Current CMOS CE = VCC - 0.3V to VCC + 1V  
300  
3
A  
VCC Standby Current TTL  
VCC Active Current  
CE = 2.0V to VCC + 1V  
f = 5 MHz; IOUT = 0 mA  
mA  
mA  
V
80  
VIL  
Input Low Voltage  
0.8  
4
AT28C010 Military  
Atmel-0010I-PEEPR-AT28C010-Datasheet_062015  
1234567...17

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AT28C010-12EM/883 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT28C010-12LM/883 ATMEL

类似代替

 1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C010-12FM/883 ATMEL

类似代替

 1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
AT28C010E-12EM/883 ATMEL

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28C010-12FC ATMEL

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 		EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32
AT28C010-12FI ATMEL

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 		EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32
AT28C010-12FM ATMEL

获取价格

 		EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32
AT28C010-12FM/883 ATMEL

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 		1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM
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 		EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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 		1-megabit (128K x 8) Paged Parallel EEPROM

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