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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DFP, FL32,.5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 5.57 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 数据保留时间-最小值： | 10 | 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-CDFP-F32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20.85 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DFP | 封装等效代码： | FL32,.5 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 页面大小： | 128 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 | 座面最大高度： | 3.05 mm |
| 最大待机电流： | 0.0003 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | YES | 宽度： | 12.2 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AT28C010-12JC | ATMEL | 1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
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| AT28C010-12JCT/R | ATMEL | EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| AT28C010-12JI | ATMEL | 1 Megabit 128K x 8 Paged CMOS E2PROM |
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| AT28C010-12JIT/R | ATMEL | EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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| AT28C010-12JU | ATMEL | 1-megabit (128K x 8) Paged Parallel EEPROM |
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| AT28C010-12JU | MICROCHIP | IC EEPROM 1MBIT 120NS 32PLCC |
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