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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-40 | 针数： | 40 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.67 |
| 最长访问时间： | 200 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T40 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 52.45 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 64KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP40,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.72 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | EPROMs |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AT27C1024-20DM2 | ATMEL | EPROM, 64KX16, 200ns, CMOS, CDIP40 |
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| AT27C1024-20DM2/883 | ATMEL | EPROM, 64KX16, 200ns, CMOS, CDIP40 |
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| AT27C1024-20JC | ETC | x16 EPROM |
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| AT27C1024-20JC2 | ATMEL | OTP ROM, 64KX16, 200ns, CMOS, PQCC44 |
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| AT27C1024-20JI | ETC | x16 EPROM |
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| AT27C1024-20JI2 | ATMEL | OTP ROM, 64KX16, 200ns, CMOS, PQCC44 |
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