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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | WDIP, DIP32,.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.61 | 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 200 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 42.3 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | UVPROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.72 mm | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 子类别： | EPROMs | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AT27C080-20PC | ATMEL | OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| AT27C080-20PI | ATMEL | OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| AT27C080-20RC | ATMEL | OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 |
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| AT27C080-20RCT/R | ATMEL | OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 |
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| AT27C080-20RI | ATMEL | OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 |
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| AT27C080-20RIT/R | ATMEL | OTP ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32, 0.450 INCH, PLASTIC, SOIC-32 |
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