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AT27BV512-12TI

更新时间： 2024-01-29 21:29:21

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爱特美尔 - ATMEL		电池存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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9页	232K
描述
512K 64K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM

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AT27BV512-12TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.48	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	CAN ALSO BE OPERATED AT 4.5V TO 5.5V RANGE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	11.8 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	OTP ROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	OTP ROMs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

AT27BV512-12TI 数据手册

AT27BV512

Programming Waveforms ⁽¹⁾

Notes: 1. The Input Timing Reference is 0.8V for V_ILand

2.0V for V_IH.

3. When programming the 27BV512, a 0.1 µF capacitor is re-

quired across V_PPand ground to supress spurious voltage

transients.

2. t_OEand t_DFPare characteristics of the device but must

be accommodated by the programmer.

DC Programming Characteristics

T_A= 25 ± 5°C, V_CC= 6.5 ± 0.25V, OE/V_PP= 13.0 ± 0.25V

Test

Limits

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Units

µA

Max

±10

Input Load Current

V_IN= V_IL, V_IH

Input Low Level

-0.6

2.0

0.8

Input High Level

V_CC+ 0.5

0.4

Output Low Voltage

Output High Voltage

V_CCSupply Current (Program and Verify)

OE/V_PPCurrent

I_OL= 2.1 mA

I_OH= -400 µA

2.4

CC2

PP2

CE = V_IL

A9 Product Identification Voltage

11.5

12.5

3-19

1...4 5 678 9

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