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AS7C3512-25JC

更新时间： 2024-01-22 06:42:21
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 93K
描述
x8 SRAM

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AS7C3512-25JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP32,.3
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.88Is Samacsys：N
最长访问时间：25 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDIP-T32JESD-609代码：e0
长度：40.259 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.572 mm
最大待机电流：0.0012 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

AS7C3512-25JC 数据手册

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High Performance  
64K×8 3.3V  
CMOS SRAM  
AS7C3512  
®
Low voltage 64K×8 CMOS SRAM  
Features  
• TTL-compatible, three-state I/O  
• Ideal for cache and portable computing  
- 75% power reduction during CPU idle mode  
• 32-pin JEDEC standard packages  
- 300 mil PDIP and SOJ  
• Organization: 65,536 words × 8 bits  
• Single 3.3 0.3V power supply  
• High speed  
- 20/25 ns address access time  
- 5/6 ns output enable access time  
• Very low power consumption  
- Active: 216 mW max, 20 ns cycle  
- Standby:9.0 mW max, CMOS I/O  
• 2.0V data retention  
• ESD protection 2000 volts  
≥
• Latch-up current 200 mA  
≥
• Equal access and cycle times  
• Easy memory expansion with CE1, CE2 and OE inputs  
Logic block diagram  
Pin arrangement  
DIP, SOJ  
Vcc  
GND  
NC  
NC  
A14  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
GND  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
Vcc  
A15  
CE2  
WE  
A13  
A8  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE1  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
Input buffer  
A0  
I/O7  
I/O0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
256×256×8  
Array  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
(524,288)  
WE  
OE  
Column decoder  
Control  
circuit  
CE1  
CE2  
A A A A A A A A  
9 10 11 12 13 14 15  
8
Selection guide  
7C3512-20  
7C3512-25  
Unit  
ns  
Maximum address access time  
Maximum output enable access time  
Maximum operating current  
20  
5
25  
6
ns  
60  
2.5  
55  
2.5  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
DID 11-20015-A.  
Copyright ©1998 Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C3512-25PC ALSC

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 		Standard SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32
AS7C3512-35JC ALSC

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 		Standard SRAM, 64KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
AS7C3512-35PC ETC

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