Datasheet > AS4C4M4F1Q-50TC

AS4C4M4F1Q-50TC

更新时间： 2024-01-01 05:27:05

品牌	Logo	应用领域
ALSC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	310K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-28

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS4C4M4F1Q-50TC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	SOP, SOJ28,.34
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.9	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOJ28,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	2048	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

AS4C4M4F1Q-50TC 数据手册

ꢀꢁꢂꢃꢂꢄꢂꢅꢆꢇ

ꢀꢊꢐꢉ2ꢏ4ꢁꢄꢏꢉ-ꢊꢐꢉꢄꢏ4ꢄꢏꢕꢇꢉꢎꢁꢓꢍꢈꢏꢄꢉꢈꢏꢕꢈꢉ;ꢌꢖꢏ4ꢁꢄꢑ

ꢈ

-ꢊꢐ

ꢈ

-ꢘ

-ꢐ=

RAS

ꢈ

ꢀꢐ-

ꢀꢘ0

ꢈ

ꢀꢊꢐ

ꢀ=-

CAS

ꢈ

-ꢊ1

ꢈ

ꢊꢐꢀ

ꢈ

ꢀꢊ=

Address

Col address

ꢈ

ꢊꢊ

ꢈ

*ꢗꢗ

ꢀꢊꢀ

ꢈ

*+>

ꢀ1>

Data out

ꢈ

--=

ꢈ

-ꢀ=

ꢈ

-ꢀꢐ

ꢈ

-*=

ꢈ

*+ꢊ

ꢈ

-,1

ꢈ

ꢀ,1

ꢈ

,ꢘ

ꢈ

,ꢀ=

ꢈ

,ꢀꢐ

ꢈ

ꢞ=

ꢈ

ꢞꢐ

Data in

ꢈ

-,1

ꢈ

-ꢀꢐ

ꢈ

,ꢘ

ꢈ

ꢀ,ꢞ

ꢈ

ꢀ,1

ꢊ,ꢞ

ꢈ

*+ꢊ

ꢈ

*+ꢞ

ꢈ

ꢉꢊꢊ

ꢈ

ꢞ=

ꢈ

ꢀ1>

*+>

ꢈ

ꢞꢐ

ꢀꢊꢀ

Data out

Data in

3/22/02; v.1.3

Alliance Semiconductor

P. 13 of 14

1...10 11 121314

下载PDF

与AS4C4M4F1Q-50TC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4C4M4F1Q-60JC	ETC	x4 Fast Page Mode DRAM	获取价格
AS4C4M4F1Q-60TC	ETC	DRAM\|FAST PAGE\|4MX4\|CMOS\|TSOP\|28PIN\|PLASTIC	获取价格
AS4C512M8D3	ALSC	Fully synchronous operation	获取价格
AS4C512M8D3-12BCN	ALSC	Fully synchronous operation	获取价格
AS4C512M8D3-12BIN	ALSC	Fully synchronous operation	获取价格
AS4C512M8D3L	ALSC	AS4C512M8D3L - 78-ball FBGA PACKAGE	获取价格