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AS4C4M4F1-60TI

更新时间： 2024-02-26 10:05:26

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
18页	271K
描述
5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

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AS4C4M4F1-60TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	SOP, TSOP24/26,.36
针数：	26/24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSOP24/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

AS4C4M4F1-60TI 数据手册

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

Logic block diagram for 2K refresh

Data

I/O

buffers

V_CC

Column decoder

Sense amp

GND

I/O0 to I/O3

RAS clock

generator

RAS

CAS

2048 × 2048 × 4

Array

CAS clock

generator

(16,777,216)

A10

Substrate bias

generator

WE clock

generator

Recommended operating conditions

Parameter

Symbol

V_CC

Min

4.5

0.0

2.4

–0.5^†

Nominal

Max

Unit

5.0

0.0

–

5.5

0.0

V_CC

0.8

Supply voltage

Input voltage

GND

V_IH

V_IL

–

Commercial

Industrial

–

Ambient operating temperature

T_A

°C

-40

–

†

min -3.0V for pulse widths less than 5 ns. Recommended operating conditions apply throughout this document unlesss otherwise specified.

4/11/01; v.0.9

Alliance Semiconductor

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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