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AS4C4M4F1-60

更新时间: 2024-02-20 12:17:21
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ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 271K
描述
5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

AS4C4M4F1-60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:SOP, TSOP24/26,.36
针数:26/24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.9Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP24/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
自我刷新:YES最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.12 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

AS4C4M4F1-60 数据手册

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AS4C4M4F0  
AS4C4M4F1  
®
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Vin  
Min  
-1.0  
-1.0  
-1.0  
-55  
Max  
Unit  
Input voltage  
+7.0  
VCC + 0.5  
+7.0  
+150  
260 × 10  
1
V
Input voltage (DQs)  
VDQ  
V
Power supply voltage  
Storage temperature (plastic)  
Soldering temperature × time  
Power dissipation  
VCC  
V
TSTG  
TSOLDER  
PD  
°C  
oC × sec  
W
Short circuit output current  
Iout  
50  
mA  
DC electrical characteristics  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol Test conditions  
0V Vin +5.5V,  
Pins not under test = 0V  
Min Max Min Max Unit Notes  
Input leakage current  
IIL  
-5  
-5  
+5  
+5  
-5  
-5  
+5  
+5  
µA  
µA  
Output leakage current IOL  
DOUT disabled, 0V Vout +5.5V  
Operating power  
ICC1  
RAS, CAS Address cycling; tRC=min  
135  
120  
mA  
1,2  
supply current  
TTL standby power  
ICC2  
RAS = CAS VIH  
2.0  
2.0  
mA  
mA  
supply current  
Average power supply  
RAS cycling, CAS VIH,  
current, RAS refresh  
mode or CBR  
ICC3  
120  
110  
1
tRC = min of RAS low after XCAS low.  
Fast page mode average  
power supply current  
RAS = VIL, CAS,  
address cycling: tHPC = min  
ICC4  
ICC5  
130  
1.0  
120  
1.0  
mA  
mA  
1, 2  
CMOS standby power  
supply current  
RAS = CAS = VCC - 0.2V  
VOH  
VOL  
IOUT = -5.0 mA  
IOUT = 4.2 mA  
2.4  
2.4  
V
V
Output voltage  
0.4  
0.4  
CAS before RAS refresh  
current  
ICC6  
RAS, CAS cycling, tRC = min  
120  
0.6  
110  
0.6  
mA  
RAS = UCAS = LCAS 0.2V,  
WE = OE VCC - 0.2V,  
all other inputs at 0.2V or  
Self refresh current  
ICC7  
mA  
VCC - 0.2V  
4/11/01; v.0.9  
Alliance Semiconductor  
P. 4 of 18  

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