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AS4C4M4F0-60TC

更新时间： 2024-01-21 23:23:10
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 271K
描述
5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

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AS4C4M4F0-60TC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：SOP, TSOP24/26,.36
针数：26/24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.9访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：TSOP24/26,.36封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096自我刷新：YES
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

AS4C4M4F0-60TC 数据手册

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AS4C4M4F0  
AS4C4M4F1  
®
Fast page mode cycle  
-50  
-60  
Symbol  
tCPA  
Parameter  
Min  
–
Max  
Min  
–
Max  
Unit  
Notes  
13  
Access time from CAS precharge  
RAS pulse width  
28  
35  
tRASP  
tPC  
50  
30  
10  
80  
12  
100K  
60  
35  
10  
85  
15  
100K  
Read-write cycle time  
–
–
–
–
–
–
–
–
tCP  
CAS precharge time (fast page)  
Fast page mode RMW cycle  
Page mode CAS pulse width (RMW)  
tPCM  
tCRW  
Output enable  
-50  
-60  
Symbol  
tCLZ  
Parameter  
Min  
0
Max  
–
Min  
0
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
8
CAS to output in Low Z  
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
tROH  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
8
–
10  
–
–
ns  
–
13  
–
15  
–
ns  
OE to data delay  
13  
0
15  
0
ns  
Output buffer turnoff delay from OE  
OE command hold time  
OE to output in Low Z  
Output buffer turn-off time  
13  
–
15  
–
ns  
8
tOEH  
tOLZ  
10  
0
10  
0
ns  
–
–
ns  
tOFF  
0
13  
0
15  
ns  
8,10  
Self refresh cycle  
-50  
-60  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
100  
Max  
–
Min  
100  
Max  
–
Unit  
µs  
Notes  
RAS pulse width  
(CBR self refresh)  
tRASS  
RAS precharge time  
(CBR self refresh)  
tRPS  
90  
8
–
–
105  
10  
–
–
ns  
ns  
CAS hold time  
(CBR self refresh)  
tCHS  
4/11/01; v.0.9  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 18  
1...45678910...18

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