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AS4C32M16D1A-5TIN

更新时间: 2024-02-13 16:17:06
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
64页 1453K
描述
Internal pipeline architecture

AS4C32M16D1A-5TIN 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TSOP2,Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.6访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G66长度:22.22 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS4C32M16D1A-5TIN 数据手册

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AS4C32M16D1A-C&I  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
VREF  
NC  
Supply  
Supply  
Supply  
Supply  
-
Ground  
±
DQ Power: 2.5V 0.2V . Provide isolated power to DQs for improved noise immunity.  
DQ Ground: Provide isolated ground to DQs for improved noise immunity.  
Reference Voltage for Inputs: +0.5*VDDQ  
No Connect: These pins should be left unconnected.  
2
Rev. 1.0  
Mar. /2015  

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