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AS4C256K16E0

更新时间： 2022-11-24 21:41:34

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ALSC		动态存储器
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24页	632K
描述
5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C256K16E0 数据手册

AS4C256K16E0

EDO page mode cycle

-30

-35

-50

Std

Symbol

Parameter

Min

–

Max

–

Min

–

Max

–

Min

–

Max Unit

23 ns

Notes

t_PC

Read or write cycle time

Access time from CAS precharge

CAS precharge time

–

t_CAP

–

t_CP

–

t_PCM

t_CRW

t_RASP

EDO page mode RMW cycle

Page mode CAS pulse width (RMW)

RAS pulse width

–

75K

75K ns

Shaded areas contain advance information.

Refresh cycle

-30

-35

-50

Std

Symbol

Parameter

Min

Max

–

Min

Max

–

Min

Max Unit

Notes

t_CSR

CAS setup time (CAS-before-RAS)

CAS hold time (CAS-before-RAS)

RAS precharge to CAS hold time

–

t_CHR

–

t_RPC

–

CAS precharge time

(CAS-before-RAS counter test)

t_CPT

–

Shaded areas contain advance information.

Output enable

-30

-35

-50

Min Max Unit

Std

Symbol

t_ROH

t_OEA

Parameter

Min

Max

–

Min

Max

–

Notes

RAS hold time referenced to OE

OE access time

–

10 ns

t_OED

OE to data delay

–

t_OEZ

Output buffer turnoff delay from OE

OE command hold time

–

t_OEH

–

Shaded areas contain advance information.

Self refresh cycle

-30

-35

-50

Std

Symbol

Parameter

Min

Max

–

Min

Max

–

Min

Max Unit

Notes

RAS pulse width

(CBR self refresh)

t_RASS

100K

–

RAS precharge time

(CBR self refresh)

t_RPS

–

CAS hold time

(CBR self refresh)

t_CHS

Shaded areas contain advance information.

4/11/01; v.1.1

Alliance Semiconductor

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