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AS4C256K16E0-30JC

更新时间： 2024-01-31 07:54:48
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 632K
描述
5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C256K16E0-30JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ40,.44
针数：40Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.69访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：30 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J40
JESD-609代码：e0长度：26.0985 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：40
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ40,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：512
座面最大高度：3.76 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.2 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS4C256K16E0-30JC 数据手册

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AS4C256K16E0  
®
Write cycle  
-30  
-35  
-50  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
0
Max  
Min  
0
Max  
–
Min  
0
Max Unit  
Notes  
tASC  
Column address setup time  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tCAH  
tAWR  
tWCS  
tWCH  
tWCR  
tWP  
Column address hold time  
Column address hold time to RAS  
Write command setup time  
Write command hold time  
Write command hold time to RAS  
Write command pulse width  
Write command to RAS lead time  
Write command to CAS lead time  
Data-in setup time  
5
5
–
9
26  
0
28  
0
–
30  
0
–
11  
11  
5
5
–
9
26  
5
28  
5
–
30  
9
–
tRWL  
tCWL  
tDS  
10  
10  
0
11  
11  
0
–
12  
12  
0
–
–
12  
12  
tDH  
Data-in hold time  
5
5
–
9
tDHR  
Data-in hold time to RAS  
26  
28  
–
30  
Shaded areas contain advance information.  
Read-modify-write cycle  
-30  
-35  
-50  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
100  
50  
Max  
–
Min  
105  
54  
Max  
–
Min  
120  
60  
Max Unit  
Notes  
tRWC  
Read-write cycle time  
–
–
–
–
–
–
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tRWD  
RAS to WE delay time  
CAS to WE delay time  
Column address to WE delay time  
CAS to RAS hold time (write)  
CAS pulse width (write)  
–
–
11  
11  
11  
tCWD  
26  
–
28  
–
30  
tAWD  
32  
–
35  
–
40  
tRSH(W)  
tCAS(W)  
10  
–
10  
–
12  
15  
–
15  
–
15  
Shaded areas contain advance information.  
4/11/01; v.1.1  
Alliance Semiconductor  
5 of 24  
12345678...24

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