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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | SOJ, SOJ40,.44 |
| 针数： | 40 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.69 | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 30 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J40 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 26.0985 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | EDO DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ40,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 座面最大高度： | 3.76 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS4C256K16E0-35 | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-35JC | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-45JC | ETC | x16 EDO Page Mode DRAM |
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| AS4C256K16E0-50 | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-50JC | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-50TC | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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