DTM6910是一款N-Channel 100V功率MOSFET，由Din-Tek Intertechnology, Inc.生产。以下是对DTM6910资料手册的解读文章。

产品特点：

无卤素，符合IEC 61249-2-21标准。

极低的Qgd值，有助于减少开关损耗。

100%的Rg测试和100%的雪崩测试，确保了产品的可靠性。

符合RoHS指令2002/95/EC。

应用领域：

主要应用于一次侧开关。

产品摘要：

最大漏源电压(VDS)为100V。

导通电阻(RDS(on))在VGS=10V时为0.045Ω，在VGS=8V时为0.047Ω。

典型门极电荷(Qg)为23nC(在VGS=10V时)。

封装类型：

SO-8表面贴装型封装。

电气特性

绝对最大额定值：

漏源电压(VDS)不超过100V。

门源电压(VGS)在±20V以内。

连续漏电流(ID)在不同的结温(TC)和环境温度(TA)下有不同的限制。

脉冲漏电流(IDM)不超过50A。

热阻值：

最大结到环境热阻(RthJA)典型值为33°C/W，最大值为40°C/W。

最大结到脚(漏极)稳态热阻(RthJF)典型值为17°C/W，最大值为21°C/W。

规格说明

静态特性：

漏源击穿电压(VDS)在VGS=0V，ID=250μA时至少为100V。

栅源阈值电压(VGS(th))在VDS=VGS，ID=250μA时，范围为2.5V至4.5V。

动态特性：

输入电容(Ciss)在VDS=50V，VGS=0V，频率为1MHz时，典型值为1735pF。

输出电容(Coss)为160pF，反向传输电容(Crss)为37pF。

门极电荷(Qg)：

在VDS=75V，VGS=10V，ID=5A时，Qg的范围为28.5至43nC。

典型特性

手册中提供了关于导通电阻、门极电荷、转移特性、电容、导通电阻与结温的关系以及体二极管特性的典型曲线图。

机械和包装信息

手册提供了详细的机械尺寸、公差、引脚定义和包装信息，包括SOIC(NARROW)：8-LEAD JEDEC的型号。

引脚说明

S (Source 源极) - 这是MOSFET的源极，通常与负载的一端相连。

D (Drain 漏极) - 漏极是MOSFET的输出端，连接到负载的另一端。

G (Gate 栅极) - 栅极用于控制MOSFET的开关状态。通过在栅极和源极之间施加电压(VGS)，可以控制漏源之间的导通和截止。

S (Source 源极) - 第二个源极引脚，通常与第一个源极引脚内部连接，可以用于提高机械强度或用于散热。

D (Drain 漏极) - 第二个漏极引脚，通常与第一个漏极引脚内部连接，可以用于提高机械强度或用于散热。

S (Source 源极) - 第三个源极引脚，同样与前面的源极引脚内部连接。

D (Drain 漏极) - 第三个漏极引脚，与前面的漏极引脚内部连接。

G (Gate 栅极) - 第二个栅极引脚，通常与第一个栅极引脚内部连接，可以用于提高信号的完整性或用于屏蔽。

法律声明

Din-Tek公司声明，所有产品规格和数据如有更改，不另行通知，以提高可靠性、功能或设计等。公司对数据表或任何其他有关产品的披露中包含的任何错误、不准确或不完整不承担任何责任，并声明不提供任何适销性保证或特定用途的保证。

结论

DTM6910是一款符合环保要求且具有高性能特点的MOSFET，适用于高要求的功率转换应用。设计人员在设计电源转换器、电机驱动器或其他相关应用时，可以依赖DTM6910提供的电气特性和典型性能曲线来进行设计和验证。此外，手册中的绝对最大额定值和热阻值为设计提供了重要的参考，以确保在安全范围内操作并进行有效的散热设计。

设计人员在使用DTM6910时，应仔细阅读并遵循手册中的指导，以确保产品在特定应用中的性能和可靠性。Din-Tek公司提供的数据和信息是设计和应用开发的重要资源。