2SA1640是由Inchange Semiconductor生产的一款硅PNP功率晶体管，采用TO-220F封装。它以其低集电极饱和电压和hFE(直流电流增益)的良好线性而受到市场的青睐，适用于开关调节器、驱动器和功率放大器等多种应用场景。

产品描述

封装类型：TO-220F

应用领域：开关调节器、驱动器、功率放大器

引脚配置

1 Base(基极)：控制晶体管的开关。

2 Collector(集电极)：通常连接到电源的正极。

3 Emitter(发射极)：晶体管的输出端。

绝对最大额定值

在25℃的环境温度下，2SA1640的电气参数不应超过以下值：

VCBO(集电极-基极电压)：-30V

VCEO(集电极-发射极电压)：-30V

VEBO(发射极-基极电压)：-5V

IC(集电极电流)：-7A

IB(基极电流)：-1A

PC(集电极耗散功率)：40W

Tj(结温)：150℃

Tstg(存储温度)：-55℃至150℃

电气特性

在25℃的环境温度下，除非另有说明，2SA1640的典型电气特性如下：

V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压)：-30V

V(BR)CBO(集电极-基极击穿电压)：-30V

V(BR)EBO(发射极-基极击穿电压)：-5V

VCEsat(集电极-发射极饱和电压)：-0.4V(集电极电流IC=-3A，基极电流IB=-0.1A)

VBEsat(基极-发射极饱和电压)：-1.0V

ICBO(集电极截止电流)：-10μA(集电极电压VCB=-30V)

IEBO(发射极截止电流)：-10μA(发射极电压VEB=-5V)

hFE(直流电流增益)：100至300(集电极电流IC=-0.2A，集电极-发射极电压VCE=-2V)

fT(过渡频率)：20MHz(集电极电流IC=-0.5A，集电极-发射极电压VCE=-10V)

封装外形

数据手册提供了TO-220F封装的外形图，如图2所示，包括了晶体管的外形尺寸和参考尺寸。

结论

2SA1640是一款高性能的硅PNP功率晶体管，其低饱和电压和高直流电流增益使其成为许多功率应用的理想选择。通过详细解读其数据手册，工程师可以更好地理解这款晶体管的性能参数，并将其应用于设计中以满足特定的技术要求。

注意：在设计和应用2SA1640时，必须遵守数据手册中提供的所有绝对最大额定值，以确保器件的可靠性和寿命。此外，所有参数的测量都是在特定的测试条件下进行的，实际应用中可能会有所不同。