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AP2142

更新时间： 2024-02-19 15:13:53
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美台 - DIODES 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
17页 2833K
描述
0.5A DUAL CHANNEL CURRENT-LIMITED POWER SWITCH

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AP2142 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.62驱动器位数：2
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：3
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SINK
最大输出电流：0.5 A标称输出峰值电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified子类别：Peripheral Drivers
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

AP2142 数据手册

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AP2142/ AP2152  
Electrical Characteristics (@TA = +25°C, VIN = +5V, unless otherwise specified.)  
Symbol  
VUVLO  
ISHDN  
IQ  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
1.9  
Max Unit  
Input UVLO  
1.6  
2.5  
1
V
RLOAD = 1kΩ  
Input Shutdown Current  
Input Quiescent Current, Dual  
Input Leakage Current  
0.5  
µA  
Disabled, IOUT = 0  
Enabled, IOUT = 0  
100  
160  
1
µA  
µA  
µA  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
A
Disabled, OUT grounded  
ILEAK  
IREV  
Reverse Leakage Current  
1
Disabled, VIN = 0V, VOUT = 5V, IREV at VIN  
MSOP-8EP  
SO-8  
115  
120  
140  
0.6  
150  
160  
180  
VIN = 5V, IOUT = 0.5A, -40°C ≤ TA ≤ +85°C  
Switch on-resistance  
RDS(ON)  
VIN = 3.3V, IOUT = 0.5A, -40°C ≤ TA ≤ 85°C  
Short-circuit current limit  
Over-Load Current Limit  
Current limiting trigger threshold  
EN Input Logic Low Voltage  
EN Input Logic High Voltage  
EN Input leakage  
ISHORT  
ILIMIT  
ITrig  
Enabled into short circuit, CL = 68µF  
0.6  
2
0.8  
1.0  
1.0  
0.8  
1
A
A
VIN = 5V, VOUT = 4.8V, CL = 68µF, -40°C ≤ TA ≤ +85°C  
VIN = VEN, Output Current Slew rate (<100A/WS), CL = 68µF  
V
VIL  
VIN = 2.7V to 5.5V  
VIN = 2.7V to 5.5V  
VEN = 5V  
V
VIH  
µA  
ms  
ms  
ms  
ms  
Ω
ISINK  
TD(ON)  
TR  
Output turn-on delay time  
Output turn-on rise time  
Output turn-off delay time  
Output turn-off fall time  
0.05  
0.6  
CL=1µF, RLOAD = 10Ω  
CL=1µF, RLOAD = 10Ω  
CL=1µF, RLOAD = 10Ω  
CL=1µF, RLOAD = 10Ω  
1.5  
0.01  
0.05  
30  
TD(OFF)  
TF  
0.1  
50  
15  
FLG output FET on-resistance  
FLG blanking time  
RFLG  
TBlank  
TSHDN  
THYS  
IFLG =10mA  
4
7
ms  
CIN =10µF, CL = 68µF  
Thermal shutdown threshold  
Thermal shutdown hysteresis  
140  
25  
Enabled, RLOAD = 1kΩ  
°C  
°C  
oC/W  
oC/W  
SO-8 (Note 5)  
110  
60  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient  
θJA  
MSOP-8EP (Note 6)  
Notes:  
5. Test condition for SO-8: Device mounted on FR-4 2-layer board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.  
6. Test condition for MSOP-8EP: Device mounted on FR-4 2-layer board, 2oz copper, with minimum recommended pad on top layer and 3 vias to bottom  
layer ground plane.  
4 of 17  
www.diodes.com  
January 2013  
© Diodes Incorporated  
AP2142/ AP2152  
Document number: DS31571 Rev. 6 - 2  
1234567...17

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