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AP1212LSA

更新时间: 2024-01-16 18:22:27
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美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 246K
描述
Power Management Circuit, PDSO8,

AP1212LSA 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.77
高边驱动器:YES接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:5.05 mm
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm最大供电电压:5.5 V
最小供电电压:2.7 V标称供电电压:5 V
表面贴装:YES温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL断开时间:10 µs
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

AP1212LSA 数据手册

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AP1212  
Dual USB High-Side Power Switch  
„ Typical Performance Characteristics (Continued)  
Current-Limit Threshold vs. Temperature  
Current-Limit Threshold vs. Supply Voltage  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
-40OC  
VSUPPLY=5V  
25OC  
85OC  
VSUPPLY=3.3V  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
5.5  
TEMPERATURE (OC)  
SUPPLY VOLTAGE (V)  
UVLO Threshold vs. Temperature  
3.0  
VIN RISING  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
VIN FALLING  
-40  
-20  
0
20  
40  
60  
80  
100  
TEMPERATURE (OC)  
Anachip Corp.  
www.anachip.com.tw  
Rev.1.0 Sep.23, 2004  
6/11  

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