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AMP04ESZ-REEL7

更新时间： 2024-01-18 15:18:56
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 328K
描述
IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 600 uV OFFSET-MAX, 0.7 MHz BAND WIDTH, PDSO8, SOIC-8, Instrumentation Amplifier

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AMP04ESZ-REEL7 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.4
放大器类型：INSTRUMENTATION AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.05 µA
标称带宽 (3dB)：0.7 MHz最小共模抑制比：55 dB
最大输入失调电流 (IIO)：0.015 µA最大输入失调电压：600 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：1
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：Instrumentation Amplifier
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30最大电压增益：1000
最小电压增益：1标称电压增益：10
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

AMP04ESZ-REEL7 数据手册

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AMP04  
AMP04E  
Min Typ Max  
AMP04F  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
GAIN (G = 100 K/RGAIN  
)
Gain Equation Accuracy  
G = 1 to 100  
G = 1000  
0.2  
0.4  
0.5  
0.75  
%
%
0.75  
G = 1 to 100  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
0.8  
1000  
1.0  
1000 V/V  
%
Gain Range  
Nonlinearity  
G
1
1
G = 1, RL = 5 kΩ  
G = 10, RL = 5 kΩ  
G = 100, RL = 5 kΩ  
0.005  
0.015  
0.025  
30  
0.005  
0.015  
0.025  
50  
%
%
%
Gain Temperature Coefficient  
∆G/∆T  
ppm/°C  
OUTPUT  
Output Voltage Swing High  
VOH  
RL = 2 kΩ  
13  
13.4  
13  
V
V
RL = 2 kΩ  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
RL = 2 kΩ  
12.5  
12.5  
Output Voltage Swing Low  
Output Current Limit  
VOL  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
–14.5  
–14.5  
V
mA  
mA  
Sink  
Source  
30  
15  
30  
15  
NOISE  
Noise Voltage Density, RTI  
eN  
f = 1 kHz, G = 1  
f = 1 kHz, G = 10  
270  
45  
30  
25  
4
5
1
270  
45  
30  
25  
4
5
1
nV/√Hz  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
µV p-p  
µV p-p  
µV p-p  
f = 100 Hz, G = 100  
f = 100 Hz, G = 1000  
f = 100 Hz, G = 100  
0.1 Hz to 10 Hz, G = 1  
0.1 Hz to 10 Hz, G = 10  
0.1 Hz to 10 Hz, G = 100  
Noise Current Density, RTI  
Input Noise Voltage  
iN  
N p-p  
e
0.5  
0.5  
DYNAMIC RESPONSE  
Small Signal Bandwidth  
BW  
ISY  
G = 1, –3 dB  
700  
700  
kHz  
POWER SUPPLY  
Supply Current  
750 900  
1100  
900  
µA  
1100 µA  
–40°C ≤ TA ≤ +85°C  
Specifications subject to change without notice.  
WAFER TEST LIMITS  
(VS = 5 V, VCM = 2.5 V, TA = 25ꢂC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Limit  
Unit  
OFFSET VOLTAGE  
Input Offset Voltage  
Output Offset Voltage  
VIOS  
VOOS  
300  
3
µV max  
mV max  
INPUT CURRENT  
Input Bias Current  
Input Offset Current  
IB  
IOS  
40  
10  
nA max  
nA max  
INPUT  
Common-Mode Rejection  
CMR  
0 V ≤ VCM ≤ 3.0 V  
G = 1  
55  
75  
80  
80  
dB min  
dB min  
dB min  
dB min  
G = 10  
G = 100  
G = 1000  
Common-Mode Rejection  
CMR  
VS = 15 V, –12 V ≤ VCM ≤ +12 V  
G = 1  
55  
75  
80  
dB min  
dB min  
dB min  
G = 10  
G = 100  
–4–  
REV. B  
1234567...16

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