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AMIS30663CANG2G

更新时间： 2024-02-26 21:09:32
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 网络接口电信集成电路电信电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
11页 163K
描述
High Speed CAN Transceiver

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AMIS30663CANG2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP8,.25
针数：8Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：20 weeks
风险等级：1.11数据速率：1000 Mbps
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9276 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：8
收发器数量：1最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.7272 mm
子类别：Network Interfaces最大压摆率：0.065 mA
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
电信集成电路类型：INTERFACE CIRCUIT温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.937 mm

AMIS30663CANG2G 数据手册

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AMIS−30663  
Table 5. Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Supply voltage  
Conditions  
Min.  
−0.3  
−0.3  
−45  
Max.  
+7  
Unit  
V
V
CC  
V
33  
I/O interface voltage  
+7  
V
V
CANH  
DC voltage at pin CANH  
DC voltage at pin CANL  
DC voltage at pin TxD  
0 < V < 5.25 V; no time limit  
+45  
+45  
V
CC  
V
CANL  
0 < V < 5.25 V; no time limit  
−45  
V
CC  
V
TxD  
−0.3  
−0.3  
−0.3  
−150  
−150  
−150  
V
V
+ 0.3  
V
CC  
CC  
V
RxD  
DC voltage at pin RxD  
+ 0.3  
V
VREF  
DC voltage at pin VREF  
Transient voltage at pin CANH  
Transient voltage at pin CANL  
Transient voltage at pin VREF  
VCC + 0.3  
+150  
V
V
(Note 2)  
(Note 2)  
(Note 2)  
V
tran(CANH)  
V
+150  
V
tran(CANL)  
tran(VREF)  
V
+150  
V
V
Electrostatic discharge voltage at  
CANH and CANL pin  
(Note 3)  
(Note 6)  
−8  
−500  
+8  
+500  
kV  
V
esd(CANL/CANH)  
V
esd  
Electrostatic discharge voltage at all  
other pins  
(Note 4)  
(Note 6)  
−4  
−250  
+ 4  
+250  
kV  
V
Latch−up  
Static latch−up at all pins  
Storage temperature  
(Note 5)  
100  
mA  
°C  
°C  
°C  
T
stg  
−55  
−40  
−40  
+155  
+125  
+150  
T
amb  
Ambient temperature  
T
junc  
Maximum junction temperature  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the  
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect  
device reliability.  
2. Applied transient waveforms in accordance with “ISO 7637 part 3”, test pulses 1, 2, 3a and 3b (see Figure 4).  
3. Standardized human body model system ESD pulses in accordance to IEC 1000.4.2.  
4. Standardized human body model ESD pulses in accordance to MIL883 method 3015. Supply pin 8 is 4 kV.  
5. Static latch−up immunity: static latch−up protection level when tested according to EIA/JESD78.  
6. Standardized charged device model ESD pulses when tested according to EOS/ESD DS5.3−1993.  
Table 6. Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
In free air  
In free air  
Value  
145  
45  
Unit  
K/W  
K/W  
R
th(vj−a)  
R
th(vj−s)  
Thermal resistance from junction to ambient in SO8 package  
Thermal resistance from junction to substrate of bare die  
Table 7. DC Characteristics  
(V = 4.75 to 5.25 V; V = 2.9 V to 3.6 V; T  
= −40 to +150°C; R = 60 W unless specified otherwise.)  
LT  
CC  
33  
junc  
Symbol  
Supply (pin V and pin V  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
)
33  
CC  
I
Supply current  
45  
4
65  
8
mA  
Dominant; VTXD = 0 V  
Recessive; VTXD = VCC  
CC  
I
I
I/O interface current  
I/O interface current (Note 7)  
V
= 3.3 V;  
1
mA  
mA  
33  
33  
C = 20 pF; recessive  
L
V
33  
= 3.3 V;  
170  
33  
C = 20 pF; 1 Mbps  
L
Transmitter Data Input (pin TxD)  
V
V
HIGH−level input voltage  
LOW−level input voltage  
HIGH−level input current  
LOW−level input current  
Output recessive  
Output dominant  
2.0  
−0.3  
−1  
−
−
V
V
V
IH  
IL  
CC  
+0.8  
+1  
I
IH  
I
IL  
V
TxD  
= V  
33  
0
mA  
mA  
V
TxD  
= 0 V  
−50  
−200  
−300  
7. Not tested on ATE.  
http://onsemi.com  
5
 
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