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AME88082EGTZ

更新时间: 2022-04-21 18:28:16
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安茂微 - AME /
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13页 230K
描述
750mA CMOS LDO

AME88082EGTZ 数据手册

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AME  
AME8808  
750mA CMOS LDO  
n Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Maximum  
Unit  
Input Voltage  
-0.3 to +8  
V
Output Voltage  
Output Current  
-0.3 to VIN + 0.3  
V
PD / (VIN - VOUT  
)
mA  
B*  
ESD Classification  
Caution: Stress above the listed absolute maximum rating may cause permanent damage to the device  
* HBM B: 2000~3999V  
n Recommended Operating Conditions  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
oC  
Ambient Temperature Range  
TA  
- 40 to +85  
oC  
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
- 40 to +125  
- 65 to +150  
oC  
TSTG  
n Thermal Information  
Parameter  
Package  
Die Attach  
Symbol  
Maximum  
Unit  
SOT-223  
TO-252-2  
SOT-223  
TO-252-2  
SOT-223  
TO-252-2  
31  
30  
Thermal Resistance*  
( Junction to Case)  
qJC  
oC / W  
135  
140  
800  
1000  
150  
350  
Thermal Resistance  
( Junction to Ambient)  
Non Conductive  
Epoxy  
qJA  
Internal Power Dissipation  
PD  
mW  
oC  
oC  
Maximum Junction Temperature  
Solder Iron (10 Sec)**  
* Measure qJC on backside center of tab.  
** MIL-STD-202G 210F  
Rev.G.02  
6

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