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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | LFBGA, |
| 针数： | 93 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.19 |
| 其他特性： | STATIC RAM IS ORGANISED AS 1M X 16 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B93 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 11.6 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 93 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AM42BDS640AGTC8IS | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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| AM42BDS640AGTC8IS | AMD |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation, Burst Mode Flash Mem |
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| AM42BDS640AGTC8IT | AMD |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation, Burst Mode Flash Mem |
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| AM42BDS640AGTC8IT | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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| AM42BDS640AGTC9FS | SPANSION |
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Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA93, 8 X 11.60 MM, FBGA-93 |
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| AM42BDS640AGTC9FT | SPANSION |
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Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA93, 8 X 11.60 MM, FBGA-93 |
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| AM42BDS640AGTC9IS | AMD |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation, Burst Mode Flash Mem |
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| AM42BDS640AGTC9IS | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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| AM42BDS640AGTC9IT | AMD |
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64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation, Burst Mode Flash Mem |
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| AM42BDS640AGTC9IT | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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