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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | 20 YEAR DATA RETENTION | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM | 数据保留时间-最小值： | 20 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 9 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 8 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AM29DL164DB120EI | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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| AM29DL164DB120EI | SPANSION | Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, MO-142BDD, TSOP-48 |
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| AM29DL164DB120EIN | ETC | x8/x16 Flash EEPROM |
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| AM29DL164DB120EK | SPANSION | Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, MO-142DD, TSOP-48 |
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| AM29DL164DB120PCF | SPANSION | Flash, 1MX16, 120ns, PBGA64, 13 X 11 MM, 1.0 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
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| AM29DL164DB120PCF | AMD | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Mem |
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