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AH1751-RG-B-A

更新时间: 2024-02-14 06:09:32
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美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
9页 136K
描述
HALL EFFECT LATCH

AH1751-RG-B-A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:SIP3,.03,50
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:18 weeks
风险等级:5.7主体宽度:1.5 mm
主体高度:3 mm主体长度或直径:4.1 mm
滞后:7.5 mTJESD-609代码:e3
最大磁场范围:7 mT最小磁场范围:-7 mT
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT端子数量:3
最大工作电流:6 mA最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C输出:SINGLE-ENDED
输出电路类型:SINGLE-ENDED最大输出电流:100 mA
输出范围:300mV输出类型:ANALOG VOLTAGE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:SIP3,.03,50
封装形状/形式:RECTANGULAR电源:3.5/20 V
传感器/换能器类型:MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT子类别:Other Sensors
最大供电电压:20 V最小供电电压:3.5 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
端子面层:Matte Tin (Sn)端接类型:SOLDER
Base Number Matches:1

AH1751-RG-B-A 数据手册

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AH1751  
HALL EFFECT LATCH  
Performance Characteristics  
(1) SIP3  
25  
50  
60  
70  
80  
85  
286  
130  
88  
90  
264  
135  
66  
95  
242  
140  
44  
100  
220  
150  
0
TA (°C)  
PD (mW)  
TA (°C)  
550  
105  
198  
440  
110  
176  
396  
115  
154  
352  
120  
132  
308  
125  
110  
PD (mW)  
P
(m W )  
P ow er D issipation C urve  
D
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
-40  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TA (°C )  
(2) SC59 and SC59R (Commonly known as SOT23 in Asia)  
TA (°C)  
25  
50  
60  
70  
80  
90  
100  
110  
74  
120  
125  
130  
37  
140  
150  
230  
184  
166  
147  
129  
110  
92  
55  
46  
18  
0
PD (mW)  
P
(m W )  
Power D issipation C urve  
D
300  
200  
100  
0
-40  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
(°C )  
T
A
AH1751 Rev. 4  
DS31436  
5 of 9  
www.diodes.com  
OCTOBER 2009  
© Diodes Incorporated  

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