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ADUM1286BRZ

更新时间： 2024-02-11 05:44:45
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI /
页数 文件大小 规格书
16页 329K
描述
3 kV RMS Dual Channel Digital Isolators

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ADUM1286BRZ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：1.34
接口集成电路类型：INTERFACE CIRCUITJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：4.9 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
座面最大高度：1.75 mm最大供电电压：5.5 V
最小供电电压：3.135 V标称供电电压：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

ADUM1286BRZ 数据手册

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ADuM1280/ADuM1281/ADuM1285/ADuM1286  
Data Sheet  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—3 V OPERATION  
All typical specifications are at TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 3.0 V. Minimum/maximum specifications apply over the entire recommended  
operation range: 2.7 V ≤ VDD1 ≤ 3.6 V, 2.7 V ≤ VDD2 ≤ 3.6 V, −40°C ≤ TA ≤ 125°C, unless otherwise noted. Switching specifications are  
tested with CL = 15 pF and CMOS signal levels, unless otherwise noted.  
Table 4.  
A Grade  
Typ  
B Grade  
Typ  
C Grade  
Typ  
Parameter  
Symbol  
Min  
Min  
Min  
Max  
Min  
10  
Max  
Unit  
Test Conditions  
SWITCHING SPECIFICATIONS  
Pulse Width  
PW  
1000  
40  
Within PWD limit  
ns  
Data Rate  
1
25  
35  
3
Within PWD limit  
100  
33  
2.5  
Mbps  
ns  
ns  
ps/°C  
ns  
Propagation Delay  
Pulse Width Distortion  
Change vs. Temperature  
Propagation Delay Skew  
tPHL, tPLH  
PWD  
50  
10  
20  
50% input to 50% output  
25  
|tPLH − tPHL|  
7
2
3
1.5  
tPSK  
38  
16  
Between any two units  
at same operating  
conditions  
12  
Channel Matching  
Codirectional  
tPSKCD  
tPSKOD  
5
3
6
2.5  
5
ns  
ns  
ns  
Opposing-Direction  
10  
Jitter  
2
1
7
Codirectional channel matchi ng is the absol ute value o f the diff erence in propa gation delays betwee n any two c hannels with i nputs on the same side of the isolati on barrier. Opposing-directio nal channel matching is the abs olute val ue o f the differe nce in propagati on delays betwee n any two c hannels wit h inputs on opposi ng sides of the is olation barrier.  
Table 5.  
1 Mbps–A, B, C Grade  
25 Mbps–B, C Grade  
100 Mbps–C Grade  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Min  
Min  
Typ  
Max  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
SUPPLY CURRENT  
No load  
ADuM1280/ADuM1285  
IDD1  
IDD2  
IDD1  
IDD2  
1.4  
3.5  
2.1  
2.3  
mA  
mA  
mA  
mA  
0.75  
2.0  
1.6  
5.1  
2.7  
3.8  
3.9  
9.0  
4.6  
5.0  
6.2  
17  
4.8  
11  
11  
23  
9
15  
15  
ADuM1281/ADuM1286  
1.7  
Table 6. For All Models  
Parameter  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
DC SPECIFICATIONS  
Logic High Input Threshold  
Logic Low Input Threshold  
Logic High Output Voltages  
VIH  
VIL  
0.7 VDDx  
V
0.3 VDDx  
V
VOH  
VDDx − 0.1  
VDDx − 0.4  
3.0  
2.8  
0.0  
0.2  
V
V
V
V
IOx = −20 µA, VIx = VIxH  
IOx = −4 mA, VIx = VIxH  
IOx = 20 µA, VIx = VIxL  
IOx = 4 mA, VIx = VIxL  
0 V ≤ VIx ≤ VDDx  
Logic Low Output Voltages  
VOL  
II  
0.1  
0.4  
Input Current per Channel  
Supply Current per Channel  
−10  
+0.01  
+10  
µA  
Quiescent Input Supply Current  
Quiescent Output Supply Current  
Dynamic Input Supply Current  
Dynamic Output Supply Current  
Undervoltage Lockout  
IDDI(Q)  
IDDO(Q)  
IDDI(D)  
IDDO(D)  
0.4  
1.2  
0.08  
0.015  
0.6  
1.7  
mA  
mA  
mA/Mbps  
mA/Mbps  
Positive VDDx Threshold  
Negative VDDx Threshold  
VDDX Hysteresis  
VDDxUV+  
VDDxUV−  
VDDxUVH  
2.6  
2.4  
0.2  
V
V
V
AC SPECIFICATIONS  
Output Rise/Fall Time  
Common-Mode Transient Immunity1  
tR/tF  
3
ns  
10% to 90%  
VIx = VDDx, VCM = 1000 V,  
|CM|  
25  
35  
kV/µs  
transient magnitude = 800 V  
Refresh Period  
tr  
1.6  
µs  
1|CM| is the maximum common-mode voltage slew rate that can be sustained while maintaining Vo > 0.8 VDDX. The common-mode voltage slew rates apply to both  
rising and falling common-mode voltage edges.  
Rev. 0 | Page 4 of 16  
 
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