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ADM1485ANZ

更新时间： 2024-01-21 13:27:20
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 驱动信息通信管理光电二极管接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
13页 946K
描述
LINE TRANSCEIVER, PDIP8, PLASTIC, MO-095AA, DIP-8

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ADM1485ANZ 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：1.02
其他特性：THERMAL SHUTDOWN PROTECTION差分输出：YES
驱动器位数：1输入特性：DIFFERENTIAL SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：LINE TRANSCEIVER接口标准：EIA-422; EIA-485
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
长度：9.27 mm功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：COMPLEMENTARY封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大接收延迟：40 ns
接收器位数：1座面最大高度：4.57 mm
最大压摆率：2.2 mA最大供电电压：5.25 V
最小供电电压：4.75 V标称供电电压：5 V
表面贴装：NO技术：BICMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
最大传输延迟：15 ns宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

ADM1485ANZ 数据手册

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ADM1485–SPECIFICATIONS  
(VCC = 5 V ؎ 5%. All specifications TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)  
Parameter  
Min Typ Max  
Unit Test Conditions/Comments  
DRIVER  
Differential Output Voltage, VOD  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
0.2  
3
0.2  
250  
250  
0.8  
V
V
V
V
V
V
V
R = ∞, Test Circuit 1  
2.0  
1.5  
1.5  
VCC = 5 V, R = 50 Ω (RS-422), Test Circuit 1  
R = 27 Ω (RS-485), Test Circuit 1  
VTST = –7 V to +12 V, Test Circuit 2  
R = 27 Ω or 50 Ω, Test Circuit 1  
R = 27 Ω or 50 Ω, Test Circuit 1  
R = 27 Ω or 50 Ω  
VOD3  
∆|VOD| for Complementary Output States  
Common-Mode Output Voltage VOC  
∆|VOD| for Complementary Output States  
Output Short-Circuit Current (VOUT = High)  
Output Short-Circuit Current (VOUT = Low)  
CMOS Input Logic Threshold Low, VINL  
CMOS Input Logic Threshold High, VINH  
Logic Input Current (DE, DI)  
35  
35  
mA –7 V ≤ VO ≤ +12 V  
mA –7 V ≤ VO ≤ +12 V  
V
V
µA  
2.0  
1.0  
RECEIVER  
Differential Input Threshold Voltage, VTH  
Input Voltage Hysteresis, ∆VTH  
Input Resistance  
–0.2  
12  
+0.2  
V
–7 V ≤ VCM ≤ +12 V  
70  
mV VCM = 0 V  
kΩ  
mA  
mA  
V
V
µA  
V
–7 V ≤ VCM ≤ +12 V  
Input Current (A, B)  
1
–0.8  
0.8  
V
V
IN = +12 V  
IN = –7 V  
CMOS Input Logic Threshold Low, VINL  
CMOS Input Logic Threshold High, VINH  
Logic Enable Input Current (RE)  
CMOS Output Voltage Low, VOL  
CMOS Output Voltage High, VOH  
Short-Circuit Output Current  
2.0  
1
0.4  
IOUT = +4.0 mA  
IOUT = –4.0 mA  
4.0  
7
V
mA  
85  
VOUT = GND or VCC  
Three-State Output Leakage Current  
1.0  
µA  
0.4 V ≤ VOUT ≤ 2.4 V  
POWER SUPPLY CURRENT  
I
CC (Outputs Enabled)  
1.0  
0.6  
2.2  
1
mA Digital Inputs = GND or VCC  
mA Digital Inputs = GND or VCC  
ICC (Outputs Disabled)  
Specifications subject to change without notice.  
(V = 5 V ؎ 5%. All specifications TMIN to TMAX, unless otherwise noted.)  
TIMING SPECIFICATIONS  
CC  
Parameter  
Min Typ Max  
Unit Test Conditions/Comments  
DRIVER  
Propagation Delay Input to Output tPLH, tPHL  
Driver O/P to O/P tSKEW  
Driver Rise/Fall Time tR, tF  
Driver Enable to Output Valid  
Driver Disable Timing  
2
10  
1
8
10  
10  
0
15  
5
15  
25  
25  
2
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
RLDIFF = 54 Ω, CL1 = CL2 = 100 pF, Test Circuit 3  
RLDIFF = 54 Ω, CL1 = CL2 = 100 pF, Test Circuit 3  
RLDIFF = 54 Ω, CL1 = CL2 = 100 pF, Test Circuit 3  
RL = 110 Ω, CL = 50 pF, Test Circuit 4  
RL = 110 Ω, CL = 50 pF, Test Circuit 4  
Matched Enable Switching  
|tAZH –tBZL|, |tBZH –tAZL  
RL = 110 Ω, CL = 50 pF, Test Circuit 4*  
|
Matched Disable Switching  
0
2
ns  
RL = 110 Ω, CL = 50 pF, Test Circuit 4*  
|tAHZ –tBLZ|, |tBHZ –tALZ  
RECEIVER  
|
Propagation Delay Input to Output tPLH, tPHL  
8
15  
30  
5
20  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
CL = 15 pF, Test Circuit 5  
CL = 15 pF, Test Circuit 5  
CL = 15 pF, RL = 1 kΩ, Test Circuit 6  
CL = 15 pF, RL = 1 kΩ, Test Circuit 6  
Skew |tPLH –tPHL  
|
Receiver Enable tEN1  
Receiver Disable tEN2  
Tx Pulse Width Distortion  
Rx Pulse Width Distortion  
5
5
1
1
*Guaranteed by characterization.  
Specifications subject to change without notice.  
–2–  
REV. E  
1234567...13

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