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ADG936BCPZ-RL7

更新时间： 2024-01-16 11:11:19
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 246K
描述
Wideband 4 GH z, 36 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, Dual SPDT

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ADG936BCPZ-RL7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN,针数：20
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.03
Is Samacsys：N模拟集成电路 - 其他类型：SPDT
JESD-30 代码：S-XQCC-N20JESD-609代码：e3
长度：4 mm湿度敏感等级：3
信道数量：1功能数量：2
端子数量：20标称断态隔离度：36 dB
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：HVQCCN
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260座面最大高度：1 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.75 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
最长断开时间：13 ns最长接通时间：14 ns
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：4 mm
Base Number Matches：1

ADG936BCPZ-RL7 数据手册

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ADG936/ADG936-R  
SPECIFICATIONS  
VDD = 1.65 V to 2.75 V, GND = 0 V, input power = 0 dBm, all specifications TMIN to TMAX, unless otherwise noted.1  
Table 1.  
B Version  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ2  
Max  
Unit  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Operating Frequency3  
3 dB Frequency4  
DC  
2
4
7
16  
0.5  
0.8  
1.25  
GHz  
GHz  
dBm  
dBm  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
ns  
ns  
ns  
ns  
dBm  
dBm  
mV p-p  
Input Power4  
0 V dc bias  
0.5 V dc bias  
DC to 100 MHz; VDD = 2.5 V 10%  
500 MHz; VDD = 2.5 V 10%  
1000 MHz; VDD = 2.5 V 10%  
100 MHz  
500 MHz  
1000 MHz  
100 MHz  
500 MHz  
1000 MHz  
DC to 100 MHz  
500 MHz  
1000 MHz  
DC to 100 MHz  
500 MHz  
Insertion Loss  
S21, S12  
S21, S12  
S21, S12  
S11, S22  
S11, S22  
0.4  
0.6  
0.9  
60  
47  
36  
69  
45  
37  
25  
23  
24  
24  
23  
21  
11  
10  
6.1  
6
Isolation—RFCx to RF1x/RF2x  
Crosstalk—RF1x to RF2x  
Return Loss (On Channel)4  
Return Loss (Off Channel)4  
52  
40  
31  
53  
42  
34  
20  
19  
16  
18  
17  
16  
1000 MHz  
On Switching Time4  
Off Switching Time4  
Rise Time4  
Fall Time4  
1 dB Compression4  
tON  
50% CTRL to 90% RF  
50% CTRL to 10% RF  
10% to 90% RF  
90% to 10% RF  
1000 MHz  
14  
13  
8
tOFF  
tRISE  
tFALL  
P–1 dB  
8
16  
32  
3
Third-Order Intermodulation Intercept IP3  
Video Feedthrough5  
900 MHz/901 MHz, 4 dBm  
27.5  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Input High Voltage  
VINH  
VDD = 2.25 V to 2.75 V  
VDD = 1.65 V to 1.95 V  
VDD = 2.25 V to 2.75 V  
VDD = 1.65 V to 1.95 V  
0 ≤ VIN ≤ 2.75 V  
1.7  
0.65 VCC  
V
V
V
V
VINH  
VINL  
VINL  
II  
Input Low Voltage  
0.7  
0.35 VCC  
1
Input Leakage Current  
CAPACITANCE4  
0.1  
μA  
RF Port On Capacitance  
Digital Input Capacitance  
POWER REQUIREMENTS  
VDD  
CRF ON  
CDIG  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
2.5  
2
pF  
pF  
1.65  
2.75  
1
V
μA  
Quiescent Power Supply Current  
IDD  
Digital inputs = 0 V or VDD  
0.1  
1 Temperature range of B Version: −40°C to +85°C.  
2 Typical values are at VDD = 2.5 V and 25°C, unless otherwise noted.  
3 Operating frequency is the point at which insertion loss degrades by 1 dB.  
4 Guaranteed by design, not subject to production test.  
5 Video feedthrough is the dc transience at the output of any port of the switch when the control voltage is switched from high to low or from low to high in a 50 Ω test  
setup, measured with 1 ns rise time pulses and a 500 MHz bandwidth.  
Rev. A | Page 3 of 16  
 
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ADG936BCPZ-RL7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ADG936BCPZ-R ADI

完全替代

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ADG936BCPZ-RL ADI

完全替代

 Wideband 4 GH z, 36 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, Dual SPDT
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